[其他]低噪聲腦電圖機探頭接線系統無效
| 申請號: | 86102854 | 申請日: | 1986-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN86102854A | 公開(公告)日: | 1986-11-19 |
| 發明(設計)人: | 加利·威廉姆·舍溫 | 申請(專利權)人: | 西屋電氣公司 |
| 主分類號: | A61B5/04 | 分類號: | A61B5/04 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 楊曉光 |
| 地址: | 美國賓*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噪聲 腦電圖 探頭 接線 系統 | ||
本發明涉及腦電圖機(以下簡稱EEG)探頭引線結構,更具體地說,涉及能夠將引入到EEG系統中的噪聲降低到最低限度的引線結構。這種噪聲是由于設在EEG探頭和一誘發電位自動折射測量系統的放大器之間的引線結構引起的。
在EEG系統中,由EEG探頭檢測到的信號一般要放大一百萬倍。為此所用的放大器一般包括一個昂貴的低通濾波器,用來濾除EEG探頭以及在探頭和放大器間的引線所接收到的噪聲。由于放大器要將EEG探頭檢測到的差壓信號放大一百萬倍左右,同時由于EEG探頭檢測到的信號幅值和探頭與放大器間引線引入的噪聲的幅值相差不大,因此引線引入測量系統的噪聲要很小這一點是十分重要的。
以往人們作了許多努力以使EEG探頭和放大器之間的引線引入測量系統的噪聲減至最小程度,其中包括采用一個昂貴的低通渡波器來衰減引線引入的噪聲。這種方法只對頻率高于所要探測的信號頻率的噪聲才有效。例如在EEG系統中,采用這樣一個昂貴的低通濾波器只能衰減頻率大于10HZ的噪聲。
先有技術中另一種減少EEG探頭和放大器之間引線引入的噪聲的方法是每一根引線都采用話筒電纜。然而,一般采用這種電纜的系統是將話筒電纜的終端接在被檢測對象躺靠的床臺的金屬框架上,作為屏蔽措施。因此,在金屬框架的話筒電纜接頭和EEG探頭之間通常要用大約3-4英尺無屏蔽引線。這種方法除了對靜電噪聲很敏感之外,并不能消除引線包圍范圍內所接收的回路噪聲,或由于靜電荷集聚引起的摩擦電效應噪聲。
將引線絞合成雙股絞合線形態可以將引線包圍區所產生的回路噪聲降至最低限度,但不能消除由于摩擦電效應引起的噪聲。
以往對減少EEG探頭和放大器之間的引線引起的噪聲所作的種種努力只著眼于一種或兩種噪聲源,因此不能降低由于EEG探頭和有關的放大器之間的引線的連接方式而引起的所有噪聲。
本發明的主要目的是提供一個低噪聲的EEG探頭接線系統,它適用于誘發電位自動折射測量系統。
從這一目的考慮,本發明是低噪聲腦電圖機(EEG)探頭接線系統,用于連接誘發電位自動折射測量系統中的放大器和至少一對EEG探頭。它包括一對同軸電纜,其特征是每根電纜都具有一中心導線,其一端與上述EEG探頭中的一個相連,另一端與上述放大器相連;導線上有一層涂石墨的聚乙烯層包復并粘在其上;-第一編織屏蔽層沿導線長度包復在上述石墨涂層上,該屏蔽層有第一端頭和第二端頭;一聚四氟乙烯護套沿導線長度包復在第一編織屏蔽層外;上述同軸電纜基本上平行布放并且在沿上述同軸電纜長度上的第一段中彼此相互接觸;一第二編織屏蔽層,其第一部分包復在上述同軸電纜的上述第一段,其第二部分別包復在上述電纜的剩余的一段長度上,上述第二編織屏蔽層有第一端頭與上述第一屏蔽層的第一端頭相連,還有第二端頭以及上述第二編織屏蔽層的第一、第二部分之間的接頭一個熱縮性套管附在上述第二編織屏蔽層外;一條參考引線接在上述第二編織屏蔽層的接頭處,用作連接附加的參考EEG探頭;一金接觸面金屬外套裝置,用來將上述每根同軸電纜的第二端頭和上述第二編織屏蔽層的第二端頭接在放大器上,外套裝置的一部分與地電位相連接。
下面將參照附圖用實例說明本發明的最佳實施例。在附圖中:
圖1是常規EEG探頭接線系統的示意圖;
圖2是根據本發明的低噪聲EEG探頭接線系統的剖面圖;
圖3是圖2所示的一根同軸電纜沿A-A線的剖面圖;
圖4是圖2所示的同軸電纜對沿A-B線的剖面圖。
圖1示出了常規的EEG測量系統。在圖1中,分別由EEG探頭20和25與放大器40之間的引線10和15引起的噪聲包括四部分:(1)由引線10和15包圍的區域35引起的回路噪聲,(2)引線10和15檢拾到的靜電噪聲,(3)由于引線之間的電容的變化,以及引線的彎曲和振動引起的顫噪噪聲,(4)當導線彎時,由于導體在絕緣層中機械摩擦聚集的靜電荷引起的摩擦電噪聲。
參看圖2,本發明的一個最佳實施例包括一對長度為L的同軸電纜50和55,其中心導線分別為60和62。每一中心導線上有一層涂石墨的絕緣層65,一第一編織屏蔽層70,一第二絕緣層72,一第二或外層編織屏蔽層75和一第三絕緣層80。如圖2所示,同軸電纜對50和55在L2的整段長度內相互接觸。
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