[其他]位置－靈敏的輻射探測器

無效

• 申請號: 86102770
• 申請日: 1986-04-21
• 公開（公告）號: CN86102770A
• 公開（公告）日: 1986-11-19
• 發明（設計）人: 霍伯雷克斯·阿瑟·瑪麗·尤金;諾拉·戴特·簡·威廉
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 主分類號: G11B7/095
• 分類號: G11B7/095
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、一種用于測定或控制照射在輻射靈敏半導體本體主表面上的輻射束位置的半導體器件，它至少配有兩個輻射靈敏二極管，它們與半導體本體相鄰部分構成整流結，并有電接線以引出由入射輻射所產生的電流，其特征在于：在工作條件下，至少在二極管間有一個高歐姆電阻區電流通道，這個器件還配有一個調整線路，該線路使和二極管相關的整流結處于這樣不同的偏壓，與輻射束入射于二極管之間的主表面上的位置無關，使通過兩個二極管所產生的電流實際上是相等的。

2、按照權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：輻射靈敏二極管至少由兩個第一類電導型半導體區構成，它們與半導體本體中相鄰部分構成一個Pn結。

3、根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于：高歐姆電阻區是第一類電導型并與半導體本體中的相鄰部分構成一個Pn結。

4、根據權利要求1或2或3所述的半導體器件，其特征在于：高歐姆電阻區由位于介質層上并加以一適當的電位的門電極構成。

5、根據上述任何一個權利要求所述的半導體器件，其特征在于：輻射靈敏二極管間的相對距離是輻射束寬度的幾倍。

6、根據上述任何一個權利要求所述的半導體器件，其特征在于：在半導體本體中還至少配有兩個與第一類電導型相反的第二類電導型半導體區，并有一些電接線用以消散由入射束產生的電流，在此第二類電導型半導體區之間也有一個高歐姆電阻區，而且該器件還配有一個調整線路，該線路可使第二類電導型半導體區處于互相不同的狀態，它們與輻射束照射在主表面上的地點無關，使通過第二類電導型半導體區的電流實際上是相等的。

7、根據上述任何一個權利要求所述的半導體器件，其特征在于：調整線路所提供的輸出信號是和通過半導體區的電流值相關的。

8、根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于：在入射輻射區域內，第一類電導型半導體區之間的連線和第二類電導型半導體區之間的連線實際上成直角。

9、根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于：第二類電導型半導體區高歐姆電阻區至少和半導體本體中相鄰部分構成一個Pn結。

10、一種光電子聚焦誤差探測系統，它可用在光學系統中測量輻射反射元件和物鏡系統聚焦表面之間的偏離量，特別是用于從含有光學輻射反射信息結構的記錄載體上讀取信息，或在記錄載體上用光學方法寫入信息的裝置中，其特征在于：這種聚焦誤差探測系統包含有上述任何一個權利要求所述的半導體器件。

11、根據權利要求10所述的光電子聚焦誤差探測系統，其特征在于：在輻射反射元件反射回來的輻射光路中，由分束元件分成的兩個支束入射到兩個第一類電導型的高歐姆電阻區上，這些高歐姆電阻區位于第一類電導型半導體區之間，而調整線路的輸出聯到一個電子線路的輸入端上，在該線路中由這兩個輸出端產生的信號給出聚焦誤差。

12、根據權利要求11所述的光電子聚焦誤差探測系統，其特征在于：至少有一個第一類電導型半導體區公用于相鄰的兩個第一類電導型高歐姆電阻區。

13、一種在記錄載體的輻射反射表面上讀取和/或寫入信息的裝置，其特征在于：該裝置包含有權利要求10或11或12中任何一項所述的聚焦誤差探測系統。

14、根據權利要求13所述的裝置，其特征在于：輻射靈敏半導體區和調整線路是在同一個半導體本體中實現的。