[其他]高分子薄膜駐極體的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86102516 | 申請日： | 1986-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN86102516A | 公開（公告）日： | 1987-03-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王壽泰;張國光;張和康 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | A61N1/00 | 分類號： | A61N1/00 |
| 代理公司： | 上海交通大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 羅蔭培 |
| 地址： | 上海市華山*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高分子 薄膜 駐極體 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種高分子薄膜駐極體的制造方法，本發(fā)明的特征是采用射頻低溫等離子體注入工藝來制造。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是該工藝采用等離子體發(fā)生器，工作電壓為2000伏～5000伏，工作頻率為13MC，真空度為10-3torr，電極為平板形，直徑為φ200mm，電極間距為12mm。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是使用的高分子薄膜材料可以是全氟乙丙烯共聚物（FEP），聚四氟乙烯，滌綸等，其中最合適的材料是全氟乙丙烯共聚物（FEP）。
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