[其他]形成在絕緣材料上的靜電潛象的無損讀出

無效

• 申請號: 86102223
• 申請日: 1986-04-01
• 公開（公告）號: CN86102223A
• 公開（公告）日: 1986-11-05
• 發明（設計）人: 埃米爾·卡米恩尼克基
• 申請（專利權）人: 埃米爾·卡米恩尼克基
• 主分類號: G01R5/28
• 分類號: G01R5/28;G01R29/14;G01R29/24;G01T1/14
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,黃向陽

1、讀出積累在絕緣體上的電荷的方法，所述絕緣體具有前表面和背面，所述方法的特征在于包括：

a)備有半導體，所述半導體具有前表面和背面，

b)將所述半導體置于離所述絕緣體足夠近之處，以使得在所述半導體中感應耗盡層，所述耗盡層同所述絕緣體上積累的電荷有關，

c)探測積累在半導體上的電荷的數量和位置。

2、權利要求1的方法，其特征在于積累在半導體上的電荷的數量和位置是用表面光電壓效應探測的。

3、權利要求2的方法，其特征在于探測積累在半導體上的電荷的數量和位置包括：

a）備有參考電極，

b）用光子能量與所述半導體相互作用的光照射所述半導體，

c）探測所述參考電極和所述半導體之間產生的電信號。

4、權利要求3的方法，其特征在于所述光的形式是光束。

5、權利要求4的方法，其特征在于所述光束是掃描光束。

6、權利要求5的方法，其特征在于所述光束是強度調制的。

7、權利要求6的方法，其特征在于光束從背面照射在所述半導體上。

8、權利要求6的方法，其特征在于光束穿過參考電極并穿過絕緣體從前面照射。

9、權利要求7的方法，其特征在于所述絕緣體是光導電性的。

10、權利要求9的方法，進一步包括所產生的電信號數字化。

11、權利要求10的方法，其特征在于積累的電荷是通過輻射形式在絕緣體上的。

12、權利要求11的方法，其特征在于積累的電荷是由于被輻照形成在絕緣體上的。

13、用于讀出絕緣體上積累的電荷的裝置，所述裝置的特征在于包括：

a）置于所述絕緣體的一邊并且與其很接近的半導體，以使得半導體上感應出的耗盡層與所述絕緣體上積累的電荷有關;

b）位于所述絕緣體另一邊的參考電極，

c）用光束對所述半導體掃描的裝置，所述光束在所述半導體與所述參考電極間產生相應于所述半導體上感應電荷的電信號，

d）探測上述電信號的裝置。

14、權利要求13的裝置，其特征在于所述半導體具有薄片形狀。

15、權利要求14的裝置，其特征在于所述半導體具有薄膜形狀。

16、權利要求15的裝置，其特征在于所述的半導體和絕緣體都是襯底上的薄膜。

17、權利要求16的裝置，其特征在于通過X射線輻照在所述絕緣體上形成積累電荷。

18、用于讀出絕緣體上積累的電荷的讀出部件，其特征在于包括：

a）半導體，

b）所述半導體上面的保護絕緣層。

19、光接收器，其特征在于包括：

a）半導體，

b）所述半導體上面的保護絕緣體，

c）所述保護絕緣體上面的光導電性絕緣體。

20、權利要求12的裝置，其特征在于參考電極包括：

a）透明的非導電襯底，

b）所述襯底上大量的由導電材料做成的平行條。

21、權利要求12的裝置，其特征在于參考電極包括：

a）透明非導電材料制成的襯底，

b）所述襯底頂部的一層均勻的光導電性絕緣材料，

c）夾在所述襯底與所述光導電性絕緣材料層之間的多個由導電材料制成的平行條。

22、光接收器，其特征在于包括：

a）半導體材料襯底，

b）在所述襯底上面的保護絕緣層，

c）與所述襯底分開的金屬電極。