[其他]在非導體上制造金屬結構無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86101886 | 申請日： | 1986-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN1005240B | 公開（公告）日： | 1989-09-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 哈拉爾德·蘇爾;克里斯蒂安·奧爾;俄恩斯特·弗尤爾 | 申請（專利權）人： | 舍林股份公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 聯(lián)邦德國10*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非導體 制造 金屬結構 | ||
【權利要求書】：
1、一種在非導體上制造導電結構的方法，包括下列步驟：
提供一個具有輝光放電區(qū)的等離子體反應器;
把所述非導體作為所述等離子體反應器的一個電極;
將金屬有機化合物輸入所述輝光放電區(qū)，靠金屬有機化合物的分解將金屬膜沉積在置于所述輝光放電區(qū)內(nèi)的非導體上;
其特征在于：
在輸入金屬有機化合物前將所述等離子體反應器抽到一給定的壓力;
金屬有機化合物是與惰性攜帶氣體一起輸入所述輝光放電區(qū)的。
2、按照權利要求1的方法，其特征在于：在輝光放電區(qū)得到的金屬覆蓋層可用化學還原法在金屬沉積浴槽中增長。
3、按照權利要求1的方法，其特征在于：在等離子體處理前、后，可借助于光刻、光敏漆來制造結構。
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