[其他]重摻銻硅單晶的制造方法無效
| 申請號： | 86100854 | 申請日： | 1986-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN86100854B | 公開（公告）日： | 1988-08-31 |
| 發明（設計）人： | 闕端麟;李立本;陳修治 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 重摻銻硅單晶 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種重摻銻硅單晶的拉制方法，其特征在于以純氮作為保護氣氛采取減壓下熔硅，常壓下摻銻，減壓下拉晶;熔硅時爐內壓力為10～30托，氮氣流量為5～40升/分，摻銻時爐內壓力為0.9～1.2kg/cm2，拉晶時爐內壓力為5～50托，氮氣流量為10～30升/分。
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