[其他]一種測汞裝置用的氣敏金膜元件的制作方法無效
| 申請號： | 86100646 | 申請日： | 1986-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN1004650B | 公開（公告）日： | 1989-06-28 |
| 發明（設計）人： | 王維熙;郭稷垣;徐晶;張靜極;周劍峰;楊惠 | 申請（專利權）人： | 甘肅有色金屬地質研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國有色金屬工業總公司專利事務所 | 代理人： | 賴日盛;吳風英 |
| 地址： | 甘肅省蘭*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 裝置 氣敏金膜 元件 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種測汞裝置用的氣敏金膜元件的制作方法，其制作方法如下：
a、先在基片表面上真空鍍上一層鉻膜;
b、再在鉻膜表面上真空鍍上一層金鉻合金膜;
c、然后將基片的溫度控制在100-400℃，再在金鉻合金膜表面上真空鍍上一層金膜;
d、將上述鍍膜基片封裝在容器內，在金膜與容器內壁之間留有通道。
2、根據權利要求1所述的氣敏金膜元件的制作方法，其特征在于檢測氣敏金膜元件與參比氣敏金膜元件在同一基片上鍍制，然后裁開。
3、根據權利要求2所述的氣敏金膜元件的制作方法，其特征在于檢測氣敏金膜元件與參比氣敏金膜元件選用溫度系數與其阻值的乘積相等的金膜元件互相配對。
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