[其他]氮基保護氣氛的直接反應制備方法無效
| 申請號： | 86100540 | 申請日： | 1986-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN86100540A | 公開（公告）日： | 1987-09-02 |
| 發明（設計）人： | 趙愛眉;周文光 | 申請（專利權）人： | 上海新華無線電廠 |
| 主分類號： | C21D1/74 | 分類號： | C21D1/74;C21D1/76 |
| 代理公司： | 上海航天局專利事務所 | 代理人： | 金家山,陳平 |
| 地址： | 上海市黎平*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 保護 氣氛 直接 反應 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種金屬和合金熱處理用的氮基保護加熱氣氛的制備方法。由初氮通過溫度在500-1300℃之間的熱處理加熱爐后即自發地形成符合無增脫碳的中性的加熱氮基氣氛。其特征在于，在原來的熱處理加熱爐的底部或側面放置固體碳素物質。
2、如權項1所述的方法，其特征在于所述的固體碳素物質最佳為石墨。
3、如權項1所述的方法，其特征在于所述的固體碳素物質在熱處理加熱爐內輔墊的高度為80-140毫米。
4、如權項1所述的方法，其特征在于所述的初氮的純度要求在98%以上。
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