[其他]利用空氣環境用冶金級硅粒子生產半導體級硅球產品

無效

• 申請號: 86100377
• 申請日: 1986-02-15
• 公開（公告）號: CN86100377A
• 公開（公告）日: 1987-08-26
• 發明（設計）人: 朱爾斯·D·李維;米勒德·J·詹遜
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器公司
• 主分類號: C30B29/60
• 分類號: C30B29/60
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 顏承根

1、一種由相對低純度的冶金級材料形成太陽電池級硅半導體材料的方法，包括步驟：

(a)在空氣中處理相對低純度的半導體材料以便在其上形成一種熱穩定化合物的氧化物表面層。

(b)將上述表面層內的材料熔化，同時保持在上述表面層內的熔化材料從而使在上述材料內的雜質向上述表面層移動。

(c)使該材料冷卻從而在上述表面層內形成一種單晶固體材料。

(d)從上就可完成粒子上去除上述表面層。

(e)在上述粒子上重復步驟(a)到(d)。

2、如權利要求1所述的方法，其中步驟（b）包括在空氣環境中熔化上述材料。

3、如權利要求1所述的方法，其中半導體材料取一由硅、鍺和砷化鎵所組成的類。

4、如權利要求2所述的方法，其中該半導體材料取自硅、鍺和砷化鎵所組成的類。

5、如權利要求1所述的方法，其中步驟（a）包括在大約1個大氣壓的空氣環境下把粒子加熱到1430℃的范圍內，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

6、如權利要求2所述的方法，其中步驟（a）包括在大約一個大氣壓的空氣環境下把粒子加熱到1430℃的范圍內，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

7、如權利要求3所述的方法，其中步驟（a）包括在大約一個大氣壓的空氣環境下把粒子加熱到1430℃的范圍內，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

8、如權利要求4所述的方法，其中步驟（a）包括在大約一個大氣壓的空氣環境下把粒子加熱到1430℃的范圍內，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

9、如權利要求1所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

10、如權利要求2所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

11、如權利要求3所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

12、如權利要求4所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

13、如權利要求5所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

14、如權利要求6所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

15、如權利要求7所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

16、如權利要求8所述的方法，其中低純度的粒子是不規則形狀的。

17、如權利要求1所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。

18、如權利要求4所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。

19、如權利要求4所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。

20、如權利要求16所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。