[其他]在硅膜中心部位設(shè)置四端單元件的力敏器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85201923 | 申請日: | 1985-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN85201923U | 公開(公告)日: | 1986-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鮑敏杭 | 申請(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號: | H01L29/00 | 分類號: | H01L29/00 |
| 代理公司: | 復(fù)旦大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人: | 滕懷流,陸飛 |
| 地址: | 上海市邯鄲*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中心 部位 設(shè)置 四端 元件 器件 | ||
1.一種在硅膜上設(shè)置四端單元件的力敏器件,其特征在于上述的四端單元件(四端力敏元件)設(shè)置在硅膜的中心部位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所說的力敏器件,其特征在于上述的硅膜為矩形和圓形兩種:
矩形硅膜為(100)n型硅片,邊沿〔110〕和〔110〕方向,長邊為短邊的二倍以上,四端力敏元件取向與矩形膜邊夾角為45°。
圓形硅膜為(110)n型硅片,四端力敏元件取向與〔110〕晶向夾角為45°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所說的力敏器件,其特征在于上述的四端力敏元件的長寬比為1~3,寬度為矩形硅膜短邊長度(或圓形硅膜直徑長度)的10%左右。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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