[其他]含有各種不同容量電容的集成電路

無效

• 申請號: 85109668
• 申請日: 1985-12-21
• 公開（公告）號: CN1003067B
• 公開（公告）日: 1989-01-11
• 發明（設計）人: 阿諾爾達斯.約翰尼斯.朱莉安娜.布德威贊斯
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京;杜有文

一種含有不同容量的電容的集成電路，它包括多行基本電容（３１、３３、３２）。這些電容具有數目不同的并聯連接在第一連接電極（３４）與相應的第二連接電極（３５）之間的基本電容。各行有數目相同的ｎ個基本電容。用基本電容不同數目的不同行構成上述電容部分。相關行中所有余下的基本電容都是偽電容。第二電容電極（３２）連接到一個或一個以上的接續連接電極（３７）。

本發明涉及具有許多不同容量電容的一種集成電路，該電路包括一個半導體本體，在該本體的表面上有許多行互相靠近布置的第一電容電極，每一行第一電容電極由介電層與第二電容電極隔開。第一和第二電容電極構成了按行排列的基本電容的電極。把一個或多個第一連接電極與一個或多個相對應的第二連接電極之間的不同數目的基本電容互相并聯，以便用互連第一和第二電容電極的方法形成容量不同的電容。基本電容行具有相同數目n的第一電容電極，每一行n個基本電容有一個第一行連線，用該連線使所有與該行有關的n個第一電容電極互連，以形成了第一連接電極。使這些行的n個基本電容互連的第二電容電極的第一組形成了與第一電極相對應的第二連接電極，而這些行的n個基本電容互連的第二電容電極的第二組形成了第三連接電極。

從日本專利申請56-201618已經知道有這樣一種集成電路，它已于1983年6月20日以No58-103163公開有待公眾審查。特別是該日本專利申請的圖3表明了一個含有18個基本電容的電容矩陣，每行的兩個外側基本電容形成偽電容。矩陣中所有其他基本電容的第二電容電極屬于一個公共的第二連接電極，上述偽電容的第二電容電極形成了第三連接電極。將不同行數的基本電容的第一連接電極互連，可得到不同的容量，從而形成16個基本電容的不同并聯。

更特別地（但不是唯一地）在做成集成電路的數/模或模/數轉換器中，往往需要不同大小的電容，它們的制作精度要求很高。所以嚴格的要求往往要由不同電容量的比值的精度來承擔。特別是，如果要求大量的電容和/或大的容量比時（尤其是用于集成電路的表面面積有限時）則必須給最小的電容以最小可能的表面面積和最低可能的容量。減小電容大小的可能性主要遇到了它們的限制，與制作所要求的幾道操作有關的限制會危及到上述所要求的精度。其中，尤其可以指出的是與光刻和刻蝕處理特別有關的邊緣效應。此外，從大表面面積來看由于某些操作不可能做到充分地均勻所以精度也可能受到限制。例如，當施加絕緣層時，可能得到的不是所希望的厚度均勻的絕緣層（即整個面積上的厚度相同），其厚度或多或少地有稍許的變化（也許是在局部區域）。

所以為了達到高精度，適當地選擇各種電容的幾何形狀，以及適當地在可制作電容的整個表面面積內安排各種電容的位置是很重要的。在現有文獻中，早已把注意力集中到這兩方面了。從Journal of Solid State Circuits《固體、電路雜志》Vol.SC-10，No.6，Dec.1975，pp371-379，IEEE Trcmsation on Communication（電氣及電子工程師學會通信會刊）Vol.COM-27，No.2，Feb.1979，pp296-304）和1984 IEEE International Solid State Circuits Conference（電氣及電子工程師學會國際固體電路會議）Feb.1984，Digest of Technical Paper（技術論文類編）pp64，65和319中可以看到某些例子。大多數已知的電容網絡是由大量的往往布置成矩陣的標準即基本電容構成的，每次是把適當數量的基本電容并聯起來，從而得到不同容量的電容。這樣，特別是電容的幾何形狀與理想情況的偏差對容量比造成的影響能保持得相當小。根據實際應用和所需要的精度，把容量≥0.25～1PF的電容作為基本電容。在需要1024個基本電容的矩陣的10-位數/模轉換器中，電容矩陣要占2mm²左右或更大一些的面積。

為了擴大具有電容網絡的集成電路的應用和/或增加這種集成電路生產的產額，極為重要的是可以制作和采用非常小的基本電容的電容網絡，同時電容所要求的精度和/或容量比不受到有害的影響。本發明（尤其對于本發明的目的）必須提供這方面的解決方法。

本發明尤其基于對下述事實的認識，在這種電容網絡中，特別是由大量基本電容組成的大電容的相對精度往往可能是極為重要的，使用相對小的基本電容對此精度可能有良好的影響。