[其他]光學信息記錄介質及信息的記錄與擦抹的方法和裝置

無效

• 申請號: 85109508
• 申請日: 1985-12-04
• 公開（公告）號: CN85109508A
• 公開（公告）日: 1986-07-09
• 發明（設計）人: 越野長明;前田已代三;后藤康之;柴田格;內海研一;潮田明;伊藤健一;居石浩三
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B11/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 沙捷

1、用記錄薄膜形成光學信息記錄介質，當用光能量在不同條件下照射該薄膜時，它能有選擇地形成兩種穩定的晶態，它們在晶體結構及光學性質上有區別，因此可以進行信息的記錄和(或)擦抹。

2、根據權項1制備的光學信息記錄介質，用光學能量在不同條件下照射該記錄膜上一點，該點可以熔化，而后又固化，因此形成了不同的結晶分布，因此該點具有不同的反射率或透射率，以至來自或通過記錄膜上這點的光束反射或透射也就不同。

3、根據權項1的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由能形成一種共晶混合物的兩種或更多種的元素組成，在所述的兩種或多種元素的平衡圖中具有接近于共晶混合物的結構。

4、根據權項1的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數為80或更少的介質（In）和原子百分數為20或更多的介質（Sb）組成。

5、根據權項4的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數15～50的In和原子百分數為50～85的Sb組成。

6、根據權項5的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數35～45的In和原子百分數為55～65的Sb組成。

7、根據權項4的光學信息記錄介質，其記錄膜進一步包括原子百分數等于或小于20的下述元素組中的一種或多種元素：Al、Si、P、S、Zn、Ga、Ge、As、Se、Ag、Cd、Sn、Te、Tl、Pb及Bi。

8、根據權項4的光學信息記錄介質，其記錄膜進一步包括原子百分數5～20的下述元素組中的一種或多種元素：Se，Si，P，S，Ge，As，Zn，Al，Ag，Cd，Sn，Pb，Te，Bi及Ga。

9、根據權項1的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數等于或小于70的鉈（Tl）和原子百分數等于或大于30的鉍（Bi）組成。

10、根據權項9的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數為10～40的Tl和原子百分數為60～90的Bi組成。

11、根據權項10的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數為20～30的Tl和原子百分數為70～80的Bi組成。

12、根據權項9的光學信息記錄介質，其記錄薄膜進一步包括原子百分數等于或小于20的下述元素組的一種或多種元素：Al，Si，P，S，Zn，Ga，Ge，As，Se，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Te和Pb。

13、根據權項9的光學信息記錄介質，其記錄薄膜進一步包括原子百分數5～20的下述元素組中的一種或多種元素：A，P，S，Se，Te，Zn，Al，Si，Ge，Ag，Cd，Sn，Pb，Sb，和In。

14、根據權項1的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數等于或小于85的鎵（Ga）和原子百分數等于或大于15的鉍（Bi）組成。

15、根據權項14的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數為30～60的Ga和原子百分數為40～70的Bi組成。

16、根據權項15的光學信息記錄介質，其記錄薄膜由原子百分數為40～60的Ga和原子百分數為40～60的Bi組成。

17、根據權項14的光學信息記錄介質，其記錄薄膜進一步包括原子百分數等于或小于20的下述元素組中的一種或多種元素：Al，Si，P，S，Zn，Ge，As，Ag，Cd，In，SnSb，Te，Tl和Pb。

18、根據權項14的光學信息記錄介質，其記錄膜進一步包括原子百分數為5～20的Se，P，S，Ge，As，Zn，Al，Ag，Cd，Sn，Pb，Te，Sb和In。

19、根據權項1的光學信息記錄介質，其記錄膜由原子百分數等于或小于65的銦（In）和原子百分數等于或大于35的砷（As）組成。

20、根據權項19的光學信息記錄介質，其記錄膜由原子百分數等于或小于50的In和原子百分數等于或大于50的As組成。

21、根據權項20的光學信息記錄介質，其記錄膜由原子百分數為15～25的In和原子百分數為75～85的As組成。