[其他]生產摻氟氧化錫涂層的改進的化學蒸氣沉積法

無效

• 申請號: 85109272
• 申請日: 1985-12-21
• 公開（公告）號: CN85109272A
• 公開（公告）日: 1986-07-09
• 發明（設計）人: 喬治·H·林德
• 申請（專利權）人: M&T化學有限公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/40
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 徐志奇

1、一種在不同的工藝條件下生產具有一個恒定的和最低的薄層電阻的摻氟氧化錫涂層的改進的化學蒸氣沉積法，包括：

(a)形成一種包含有機氟摻雜劑和有機錫化合物的液態涂層組成，所述的組成包括：

(1)1～30%(重量)，有機氟摻雜劑，其中至少有一個氟原子位于官能團的α位或β位，那里的碳原子與選自羧酸、酸酐、酯、醇、酮、酰基鹵或醚等中的氧原子鍵合；以及

(2)70～99%(重量)有機錫化合物，它為一種三氯化烷基錫、二氯化二烷基錫、烷基二氯化錫乙酸酯、烷基氯化錫二乙酸酯或三氯化錫酯或四氯化錫；

(b)汽化所述的液態涂層組成而進入濕潤的載氣中以形成一種載氣、水、有機氟摻雜劑和有機錫混合物的氣相混合物；

(c)沉積所述的氣相混合物到一襯底上而形成所述的涂層，其特征為：

所述的組份的蒸氣濃度是這樣的，即參數M定義為：

M= ((AIR)(H2O))/((OFD)(O)) ，其中：

(AIR)是載氣的摩爾濃度；

(H₂O)是載氣中水的摩爾濃度；

(OFD)是載氣中有機氟摻雜劑的摩爾濃度；

(O)是載氣中有機錫化合物的摩爾濃度。

從而，在所述的M值小于50，000時，制得具有一個恒定的和最低的薄層電阻的摻氟氧化錫涂層。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的M值為20，000或更小。

3、根據權利要求1所述的方法，其特征在于涂層厚度為180～210納米（nm）時所述的薄層電阻約為25歐/方（Ohms/sq）。

4、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的液態涂層組成包括2～10%（重量）所述的有機氟摻雜劑和90～98%（重量）所述的有機錫化合物。

5、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的液態涂層組成包括1～10%（重量）極性有機化合物。

6、根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述的組成包括2～10%（重量）所述的有機氟摻雜劑、80～97%（重量）所述的有機錫化合物和1～10%（重量）所述的極性有機化合物。

7、根據權利要求6所述的方法，其特征在于所述的極性有機化合物為乙酸酐、乙酸乙酯或甲基異丁基酮。

8、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的汽化溫度為100～400℃。

9、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的沉積溫度為高于400℃低于700℃。

10、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的襯底為玻璃。

11、根據權利要求1所述的方法的產品，其特征在于其隨著沉積溫度的升高具有一個實質上恒定的和最低的薄層電阻。

12、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的有機錫化合物為三氯化-丁基錫、三氯化甲基錫、三氯化異丁基錫、二氯化二丁基錫、二氯化二-特-丁基錫、丁基二氯化錫乙酸酯、丁基氯化錫二乙酸酯或三氯化乙酯基亞乙基錫。