[其他]碳化硅(SiC)二極管溫度傳感器無效
| 申請號： | 85109140 | 申請日： | 1985-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN85109140B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發明（設計）人： | 綦明剛;周嶅;邱莉;吳鐵;張詠紫;鄒小興 | 申請（專利權）人： | 湖北省襄樊市機電研究所;國家建材工業局建筑材料科學研究院玻璃科學研究所 |
| 主分類號： | H01L35/00 | 分類號： | H01L35/00;G01K7/02 |
| 代理公司： | 襄樊市專利事務所 | 代理人： | 孟景前,樊靈芬 |
| 地址： | 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 sic 二極管 溫度傳感器 | ||
1、一種碳化硅二極管溫度傳感器，包括一個碳化硅PN結、鎢膜和金膜做復合膜電極，用兩段金絲做引線，鉑絲或鎳絲做后引線，氧化鋁瓷管做后引線絕緣固定子，其特征在于以P型碳化硅單晶做基底外延N型層時，同時使氮原子擴散到P型基底中去;或者以N型碳化硅單晶做基底時，外延的P型層厚度小于0.1毫米;整個PN結用一種微晶玻璃包封。
2、按照權利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于PN結的P型層中氮原子摻雜是用純氮氣，在外延N型層的同時，由外延面和另一面同時擴散進入P型基底中去。
3、按照權利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于包封PN結所用的微晶玻璃組份范圍（wt%）是：
ZnO25～55MgO2～7
B2O315～25BaO2～7
SiO28～27SnO21～3
Al2O33～15Cr2O30～1
最佳組份范圍（wt%）是：
ZnO30～50MgO4～5
B2O320BaO4～5
SiO210～25SnO22～3
Al2O35～12Cr2O30～1
4、按照權利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于微晶玻璃的包封溫度范圍是650～800℃，最佳包封溫度范圍為650～750℃。
5、按照權利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于微晶玻璃的包封時間范圍是1～60分鐘，最佳包封時間是5～40分鐘。
6、按照權利要求1所述的碳化硅二極管溫度傳感器，其特征在于微晶玻璃的包封氣氛為空氣。
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