[其他]改進的硼摻雜半導體材料及其制備方法

無效

• 申請號: 85108824
• 申請日: 1985-11-04
• 公開（公告）號: CN85108824A
• 公開（公告）日: 1986-08-06
• 發明（設計）人: 楊志忠;拉爾夫·莫爾;斯蒂芬·赫金斯;安妮特·約翰科克;普雷·內斯
• 申請（專利權）人: 索馮尼克斯太陽能系統公司
• 主分類號: H01L21/24
• 分類號: H01L21/24;H01L31/06
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 陶令靄

1、淀積一種改進的包括硼和鹵素或假鹵素的P型半導體合金的方法，該方法包括在氣體混合物中建立輝光放電，氣體混合物包括至少一種半導體前身氣體，硼的氣體源與鹵素和假鹵素結合在一起，其特點是在上述淀積的半導體合金中以單原子形式至少摻入1.9原子百分數的硼。

2、根據權利要求1的方法，其特點是上述硼的氣體源是三氟化硼。

3、根據權利要求1的方法，其特點是上述鹵素或假鹵素的一種是氟。

4、根據權利要求1的方法，其特點是上述半導體合金從硅、鍺及其混合物中選擇。

5、根據權利要求1的方法，其特點是上述半導體前身氣體為硅烷。

6、根據權利要求1的方法，其特點是上述氣體混合物中包括氬氣。

7、一種電子照相光感受器（70）包括一個電導性襯底（72）和一個光電導元件（78），其特點在于上述光電導元件（78）是由半導體合金材料制成，半導體合金材料包括以單原子形式摻入到半導體基質中的痕量硼和鹵素或假鹵素，上述半導體合金材料的體應力得到降低。

8、根據權利要求7的光感受器（70），其特點在于光電導元件（78）的厚度至少為10微米。

9、根據權利要求7的光感受器（70），其特點在于光電導元件是由半導體合金材料制成的，該半導體合金材料在其基質中至少包括硅合金、鍺合金或硅鍺合金中的一種。

10、根據權利要求7的光感受器（70）特點在于半導體合金材料包括作為鹵素或假鹵素的氟。

11、根據權利要求7的光感受器（70），其特點在于硼以四面體形式摻入半導體基質材料。

12、根據權利要求7的光感受器（70），其特點在于光電導元件（78）是由包括足量硼的非晶硅∶氫∶氟合金制成，提供了在0.8至1.2電子伏特范圍內的激活能。

13、根據權利要求12的光感受器（70）包括插在光電元件（78）和襯底之間的阻擋層（76），其特點在于上述阻擋層（76）是由具有電導性半導體合金材料制成，阻止來自襯底（72）的電荷載流子射入光電導元件（78）。

14、根據權利要求13的光感受器（70），其特點在于阻擋層（76）是由非晶硅∶氫∶氟合金制成的，上述阻擋層（76）所含的硼量大于光電導元件（78）。

15、根據權利要求13的光感受器（70），其特點在于增進附著層插在襯底（72）與阻擋層（76）之間;絕緣層（80）淀積在光電導元件之上。

16、根據權利要求7的改進的電子照相光感受器（70）的特點在于：上述光電導元件（78）是由多層重疊的半導體合金材料層制成的，至少有一種元素的濃度不同，因此減輕了光電導元件（78）內的體應力，所以改進了光感受器（70）的電荷儲存能力。

17、根據在權利要求16的電子照相光感受器（70）中，上述半導體材料的重疊層是由硅∶氫∶氟合金制成的，其特點是上述重疊層在摻入到其內的氟方面是不同的。

18、根據在權利要求17的電子照相光感受器（70）中，光電導元件（78）的厚度約為15-30微米，并表現出柱狀生長形貌，上述的光感受器進一步包括：

一個阻擋半導體層（76），插在光電導元件（78）和襯底（72）之間，上述半導體阻擋層（76）的厚度約為200-600毫微米，上述阻擋層（76）阻止來自襯底（72）的電荷載流子射入光電導層（78）;

一個增進附著層（74），厚度約為50-200毫微米，插在阻擋層（76）和襯底（72）之間;

一個電絕緣層（80），厚度小于600毫微米，淀積在光電導元件（78）上，其特點是上述半導體層（76）內所含的硼量大于光電導元件（78）。