[其他]具有支承結構的高功率電子束處理機窗

無效

• 申請號: 85108631
• 申請日: 1985-11-30
• 公開（公告）號: CN85108631B
• 公開（公告）日: 1988-04-20
• 發明（設計）人: 特茨維·阿夫納里
• 申請（專利權）人: 能源科學公司
• 主分類號: H01J33/04
• 分類號: H01J33/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙蓉民

1、一種具有支承結構的高功率電子束處理機窗，由一個隔離真空的縱向延伸的金屬薄膜和一套或許多套平行且相互靠近布置的導熱性肋片組成，其特征在于所說的導熱性肋片是彎曲延伸的，該導熱肋片由于真空壓力而固著在薄膜內表面上，并且彎曲地橫越縱向邊緣之間的所述內表面。

2、如權利要求1中所述的高功率電子束處理機窗，其中金屬肋片的彎曲至少部分為S形或C形。

3、如權利要求2所述的高功率電子束處理機窗，其中肋片的橫斷面從薄膜朝真空腔內逐漸變尖。

4、如權利要求3所述的高功率電子束處理機窗，其中所述肋片的橫斷面基本呈拋物線性。

5、如權利要求3所述的高功率電子束處理機窗，其中所述肋片具有基本呈三角形或梯形的橫斷面。

6、如權利要求1所述的高功率電子束處理機窗，其中那些金屬肋片包括具有不同橫斷厚度的肋片。

7、如權利要求1所述的高功率電子束處理機窗，其中肋片至少有些部分覆蓋有一種高原子序數元素，以增加電子束反射性能。

8、如權利要求7所述的高功率電子束處理機窗，其中高原子序數元素是鉭。

9、如權利要求1所述的高功率電子束處理機窗，其中肋片的一部分覆蓋有一種低原子序數元素，以減少由電子與肋片接觸所產生的X射線。

10、如權利要求9所述的高功率電子束處理機窗，其中低原子序數元素是鋁。

11、如權利要求1所述的高功率電子束處理機窗，其中金屬薄膜面對電子束的表面上覆蓋有一種低原子序數元素，以減少由電子與薄膜接觸產生的X射線。

12、如權利要求11所述的高功率電子束處理機窗，其中低原子序數元素是鋁。

13、如權利要求2所述的高功率電子束處理機窗，其中的金屬薄膜是一個雙金屬薄膜。

14、如權利要求13所述的高功率電子束處理機窗，其中的雙金屬薄膜包括鈦。

15、如權利要求13所述的高功率電子束處理機窗，其中的雙金屬薄膜包括銅。

16、如權利要求1所述的高功率電子束處理機窗，其中固定在窗口的肋片的表面彎曲地附著在窗口的微彎曲部分。