[其他]金屬料表面形成合金層的方法及設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85107593
• 申請日: 1985-10-15
• 公開（公告）號: CN85107593A
• 公開（公告）日: 1987-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張戈飛
• 申請（專利權(quán)）人: 張戈飛
• 主分類號: C23C14/38
• 分類號: C23C14/38;C23C10/06
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部
• 代理人: 包冠乾

1、一種通過金屬化合物的加熱氣化而在金屬材料表面形成合金層的方法，該方法由下列步驟組成：將被滲金屬材料放置在真空爐內(nèi)反應室中的陰極盤上，同時在真空爐中還放置有金屬化合物，金屬化合物在真空爐抽真空情況下(真空度為1～10^-2托)進行加熱并達到沸點而氣化，氣化的金屬化合物充滿反應室中，此時在陰極和陽極之間施加一電場，金屬化合物氣體在電場作用下電離，正離子金屬轟擊位于陰極盤上的被滲金屬材料，從而使其表面形成合金層，該方法的特征在于，金屬化合物直接加熱氣化，氣化金屬化合物在直流高壓電場作用下電離并產(chǎn)生輝光放電，在輝光放電條件下對金屬材料進行表面滲金屬。

2、根據(jù)權(quán)利要求1中的方法，其特征在于，輝光放電時的高壓電場的電壓為300-1500伏。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2中的方法，其特征在于，氣化金屬化合物是在惰性氣體進行輝光后進入真空爐內(nèi)反應室中取代惰性氣體而進行輝光放電。

4、根據(jù)權(quán)利要求1或3中的方法，其特征在于，金屬化合物為金屬鹵化物。

5、根據(jù)權(quán)利要求1或4中的方法，其特征在于，金屬化合物的加熱是通過一低壓電源來進行的。

6、根據(jù)權(quán)利要求1或5中的方法，其特征在于金屬化合物的加熱氣化是在陰極盤之外進行的。

7、一種對金屬材料表面進行氣體滲金屬從而使其表面形成合金層的設(shè)備，該設(shè)備的特征在于，它是由下列部分組成的：一真空反應室;處于該真空反應室中的陰極盤和陽極，被滲金屬材料就設(shè)置在該陰極盤上;一盛裝金屬化合物的蒸發(fā)器。

8、根據(jù)權(quán)利要求7中的設(shè)備，其特征在于蒸發(fā)器位于陰極盤以外的地方。

9、根據(jù)權(quán)利要求7中的設(shè)備，其特征在于真空室是由防腐蝕材料制成的。

10、根據(jù)權(quán)利要求9中的設(shè)備，其特征在于，真空室所用防腐材料為不銹鋼。