[其他]陶瓷材料的致密化方法無效
| 申請號: | 85107386 | 申請日: | 1985-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN85107386A | 公開(公告)日: | 1986-10-01 |
| 發明(設計)人: | 菲利普·L·巴尼伯格;瓦爾·J·克魯科尼斯 | 申請(專利權)人: | 巴布考克和威爾科斯公司 |
| 主分類號: | C04B41/82 | 分類號: | C04B41/82 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 全菁,吳大建 |
| 地址: | 美國路易斯*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷材料 致密 方法 | ||
1、一種增加陶瓷材料密度的方法,其特征在于,該方法包括:
a.將陶瓷母體溶解在超臨界流體中;
b.將充滿了陶瓷母體的流體滲透陶瓷材料;
c.降低陶瓷母體在流體中的溶解度,以便使陶瓷母體沉積在陶瓷材料的空隙位置中。
2、按照權利要求1的方法,其特征在于,超臨界流體是從甲烷、乙烯、二氧化碳、乙烷、一氧化二氮、丙烷、丁烷和氯代、氟代、以及氯氟-碳氫化合物中挑選出來的流體。
3、一種增加氮化硅材料密度的方法,其特征在于,該方法包括:
a.將陶瓷母體溶解在超臨界流體中;
b.將充滿了母體的流體滲透氮化硅材料;
c.降低陶瓷母體在流體中的溶解度,以便使陶瓷母體沉積在氮化硅材料的空隙位置中。
4、按照權利要求3的方法,其特征在于,氮化硅是一種多孔反應燒結氮化硅。
5、按照權利要求3的方法,其特征在于,陶瓷母體是一種起著氮化硅母體作用的含硅聚合物質。
6、一種增加氮化硅材料密度的方法,其特征在于,該方法包括:
a.將陶瓷母體溶解在超臨界流體中;
b.將充滿了母體的流體滲透碳化硅材料;
c.降低陶瓷母體在流體中的溶解度,以便使陶瓷母體沉積在碳化硅材料的空隙位置中。
7、按照權利要求6的方法,其特征在于,陶瓷母體是異丙基氧化鋁。
8、一種增加硼硅酸鋁材料密度的方法,其特征在于,該方法包括:
a.將陶瓷母體溶解在超臨界流體中;
b.將充滿了母體的流體滲透硼硅酸鋁材料;
c.降低陶瓷母體在流體中的溶解度,以便使陶瓷母體沉積在硼硅酸鋁材料的空隙位置中。
9、按照權利要求6或8的方法,其特征在于,陶瓷母體是一種起著碳化硅母體作用的含硅聚合物質。
10、按照權利要求6或8的方法,其特征在于,作為碳化硅母體的含硅聚合物質是聚硅烷。
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