[其他]薄膜磁頭滑塊和制備薄膜磁頭滑塊材料的方法

無效

• 申請號: 85107309
• 申請日: 1985-09-30
• 公開（公告）號: CN85107309A
• 公開（公告）日: 1986-07-02
• 發明（設計）人: 樋口晉介;竹田幸男;飯島史郎;大浦正樹;長池完訓
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11B21/21
• 分類號: G11B21/21;C04B35/48
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 郁玉成

1、一種薄膜磁頭滑塊，它包括一個在記錄媒質上完成接觸起停操作的一個滑塊以及在滑塊側端上的一個薄膜磁頭裝置，至少是滑塊的記錄媒質接觸部分由燒結材料制成，此燒結材料有著高的熱絕緣，足以使得在記錄媒質上滑動期間，記錄媒質上的表層熱分解和碳化，此燒結材料的平均晶粒大小不超過5微米。

2、一種根據權利要求1的薄膜磁頭滑塊，其中燒結材料有著不大于0.02卡/厘米·秒·度的導熱率。

3、一種根據權利要求2的薄膜磁頭滑塊，其中，燒結材料至少包含立方晶系的Z_rO₂。

4、一種根據權利要求1或2的薄膜磁頭滑塊，其中，燒結材料包含作為主要成分的立方晶系Z_rO₂。

5、一種根據權利要求1或2的薄膜磁頭滑塊，其中，燒結材料是由立方晶系的ZrO₂制成的。

6、一種根據權利要求4的薄膜磁頭滑塊，其中，燒結材料至少包含碳。

7、一種根據權利要求6的薄膜磁頭滑塊，其中，至少一部分碳是作為ZrO₂被包含在內的。

8、一種根據權利要求6或7的薄膜磁頭滑塊，在燒結材料中，包含按重量比為0.01%到1%的碳。

9、一種根據權利要求6，7或8的薄膜磁頭滑塊，其中，通過在非氧化性氣氛中焙燒有機材料和Z_rO₂粉末的混合物來實現燒結材料的制取。

10、一種根據權利要求9的薄膜磁頭滑塊，其中，有機材料是根據Z_rO₂粉末，重量比為0.02%到2%的酚醛清漆樹脂。

11、一種制取薄膜磁頭滑塊材料的方法，此方法包括在1，100到1，800℃的燒結溫度下焙燒由Z_rO₂粉末，足夠數量的穩定劑（在室溫下用來穩定立方晶系的Z_rO₂粉末），以及晶粒增長控制劑組成的混合物，同時熱壓此混合物，因而得到一種燒結材料，此材料包含了作為主要成分的立方晶系Z_rO₂，其平均晶粒的大小不超過5微米。

12、一種根據權利要求11的方法，其中，穩定劑是Y₂O₃，CaO，MgO，CeO₂，SrO或La₂O₃。

13、一種根據權利要求11的方法，其中，晶粒增長控制劑是碳粉或一種有機材料，這種有機材料在低于燒結溫度的溫度下進行分解，留下碳作為殘留物。

14、一種根據權利要求13的方法，其中，有機材料是酚醛清漆樹脂。

15、一種根據權利要求13的方法，其中，從燒結材料中含碳的意義出發，在混合物中包含重量比為0.01%到1%的晶粒增長控制劑。

16、一種根據權利要求11的方法，其中，混合物的平均顆粒大小不超過0.1微米。