[其他]強光離子滲金屬裝制及其方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85106757
• 申請日: 1985-09-10
• 公開（公告）號: CN85106757A
• 公開（公告）日: 1987-04-15
• 發(fā)明（設計）人: 李仲君
• 申請（專利權）人: 電子工業(yè)部工藝研究所
• 主分類號: C23C10/06
• 分類號: C23C10/06;C23C14/38
• 代理公司: 電子工業(yè)部專利服務中心
• 代理人: 邱應鳳,徐嫻

1、一種離子滲金屬裝置，由真空室、直流電壓源和相應電極組成，其特征是：在陰極座(5)上有一個能產(chǎn)生高能量離子區(qū)、一面開口的容器一桶形靶(4)，桶形靶(4)與陰極座(5)同電位。

2、根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征是：桶形靶（4）用滲入金屬做成。

3、根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其特征是：一個環(huán)形偏壓電極-偏壓環(huán)（3）。

4、根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其特征是：桶形靶（4）的橫截面是圓形或方形或長方形。

5、根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征是：桶形靶（4）的橫截面是圓形或方形或長方形。

6、一種利用權利要求1-5所述的強光離子滲金屬裝置的滲金屬方法，其特征是：工件（6）被置于桶形靶（4）中，并與桶形靶（4）同電位。

7、根據(jù)權利要求6所述的滲金屬方法，其特征是：在工件（6）的周圍放置滲入金屬碎片（7）。

8、根據(jù)權利要求6或7所述的滲金屬方法，其特征是：氬氣壓力控制在4×10^-1-8×10^-2托，滲金屬時工件溫度控制在900-1050℃。