[其他]光纖的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85106243 | 申請日: | 1985-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN85106243A | 公開(公告)日: | 1987-02-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 安德魯·馬沙爾 | 申請(專利權)人: | 國際標準電氣公司 |
| 主分類號: | C03B37/018 | 分類號: | C03B37/018 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 杜日新 |
| 地址: | 美國紐約州*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 制造 方法 | ||
1、氣相沉積法,其中涉及到由反應劑材料制造摻雜玻璃的一種玻璃形成反應過程,其特征為包括有這樣一個步驟:在反應物質被加熱到高于玻璃形成反應所需溫度前,不會發(fā)生此玻璃形成反應過程,由此可以由一種從熱力學原理看來不允許較低溫度下形成玻璃的組成制造的摻雜玻璃。
2、權利要求1所述的可用于制造摻氟石英玻璃,其中反應劑材料包括三氯氟硅(SiCl3F)。
3、用于由反應劑材料的氧化反應制造摻雜石英玻璃的一種氣相沉積法,此種反應劑材料包括有四氯化硅和含有摻雜劑的反應劑,其特征在于,對反應物質加熱,達到使至少某些四氯化硅與含有摻雜劑的反應劑之間發(fā)生交換反應的溫度,而該溫度高于氧化反應所需的溫度,其中,在反應物質加熱到此溫度之前不得有氧化反應發(fā)生,由此可實現從熱力學理論考慮不允許在較低溫度下形成玻璃的組成來制造出摻雜的石英玻璃。
4、按照權利要求3所述的沉積法,其中摻雜劑為氟。
5、按照權利要求4所述的沉積法,其中反應劑材料包含有SiF4、CF2Cl2、CF4、SF6、BF3或F2。
6、按照權利要求4或5所述的沉積法,其中的反應劑材料是在惰性氣氛中被加熱到所述的溫度,由此可以促進前述交換反應并且劑材料中生成SiCl3F。
7、按照上述任何一項權利要求所述的沉積法,包括生產光纖予制件的管內氣相沉積法。
8、用于在管內通過氧化反應進行氣相沉積而形成摻雜玻璃,以制成光纖予制件的設備,其特征為:用在本設備中的以旋轉方式支撐襯底管的裝置;加熱襯底管某個氧化反應區(qū)的裝置;沿襯底管長度橫向移動加熱機構的裝置;對所產生的反應劑蒸氣流進行導流的裝置;將反應劑蒸氣輸入襯底管內的裝置;以及向襯底管內輸入氧氣的裝置,反應劑蒸氣供給裝置和氧氣供給裝置應組配成當使用本設備時,氧化反應只可能發(fā)生在反應劑蒸氣被加熱到所述溫度之后,由此可以實現從熱力學理論考慮不允許在較低溫度下形成玻璃的組成來制造出摻雜玻璃。
9、按照權利要求8所述的設備,其中的反應劑蒸氣供給裝置在用于本設備時耦合于襯底管的一端,而且氧氣供給裝置包括有從其一端伸進襯底管內的管子,這一氧氣供給管可在襯底管內沿軸向移動,使其向襯底管內輸氧的一端與加熱裝置保持著一致的移動。
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