[其他]磁逆止閥技術無效
| 申請號: | 85106186 | 申請日: | 1985-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN85106186A | 公開(公告)日: | 1986-10-15 |
| 發明(設計)人: | 吳炳生;吳敏;吳志宏 | 申請(專利權)人: | 吳敏;吳炳生;吳志宏 |
| 主分類號: | H01F3/12 | 分類號: | H01F3/12;H02K1/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁逆止閥 技術 | ||
本發明是磁力線單向導通技術。是一種新的構思因為磁力線是可以穿過任何材料包括真空和水。而申請這個項目使人們得到在磁路中應用磁逆止閥技術使磁力線正方向通過時磁阻較小,而反方向通過時磁阻較大的磁力線逆止元件適用在電機磁路中實現磁力線單方向導通目的。
發明的目的是磁力線單方向導通技術在電機中應用。開辟了一條提高電機效率的途徑。是從改變電機中合成磁場著手,根據電機磁場理論電機內部的能量是機械力電磁力和電力三者之間的交換。而電磁力是交換過程中的媒介。在交換時電磁感應和安培電磁力效應同時發生形成一系列物理過程應用磁力線單方向導通技術能夠減少反方向磁力線在磁路中通過。從而改變電機中合成磁場強度,使電機內磁場又形成了新的平衡應用磁力線單方向導通技術在電機中應用可以提高電機的效率減少燃料消耗節約能源。
本發明是這樣實現的制造磁逆止閥的材料是常用的硅鋼片其構造是由二個磁路組合而成見(說明書附圖)一個磁路為開啟式稱為初級磁路,另一個磁路為半閉合式稱為次級磁路。在磁路二端各有一個磁力源(1)和(6)。
其作用如下:
磁力線正方向通過磁逆止閥時,是從初級向次級穿透。
路線為1經過2-2穿過3-3到達4-4和6成為回路,其中有極小量磁力線經7-5-7近路。
正方向磁力線經過一對氣隙到達次級磁力線穿透率較高。
磁力線反方向通過磁逆止閥時是次級向初級穿透。
路線為6經過4-4。而較多的磁力線經7-5-7近路。而另一部份磁力線再通過3-3到達2-2和1造成回路。
反方向磁力線在向初級穿過時,先要被逆止軛7和逆止氣隙5近路大部份磁力線。而另一部份磁力線還要穿過一對氣隙3-3才能到達初級磁路,所以和前者比磁阻較大穿透率較少。達到了磁力線逆止的效果。
磁逆止閥單向導通率是按設計決定的,而且必須結合電機磁路的大小,以及性能指標使之成為電機的一個組成部份還要適應振動耐熱和介質侵蝕從而能夠取得綜合性的最好指標和實用效果。
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