[其他]高速硅光敏三極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85105936
• 申請日: 1985-08-08
• 公開（公告）號(hào): CN85105936B
• 公開（公告）日: 1987-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何民才
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/10
• 分類號(hào): H01L31/10
• 代理公司: 武漢大學(xué)專利事務(wù)所
• 代理人: 陳暢生,龔茂銘

1、一種高速硅光敏三極管，其特征在于：所說的光敏三極管的受光面包括暴露于受光面的集電區(qū)和基區(qū)，所說的基區(qū)為網(wǎng)格狀，所說的暴露于受光面的集電區(qū)位于被基區(qū)包圍的網(wǎng)眼部分;所說的光敏三極管的集電區(qū)不僅包括通常的位于基區(qū)下部的集電區(qū)，而且還包括與下部集電區(qū)相通的，多個(gè)位于被基區(qū)包圍的網(wǎng)眼部位的暴露于受光面的集電區(qū)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速硅光敏三極管，其特征在于：發(fā)射區(qū)由兩條以上細(xì)條組成。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速硅光敏三極管，其特征在于：襯底材料選用電阻率為0.4-20Ω-Cm，層厚為6-8μm的N型硅外延片。