[其他]具有向后接腳相容性的大規(guī)模集成電路微處理機(jī)芯片

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85105002
• 申請(qǐng)日: 1985-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN85105002A
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 納英奧;布雷德利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 霍尼韋爾資料系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): G06F13/00
• 分類號(hào): G06F13/00;H01L49/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、一以先進(jìn)技術(shù)制造且用于多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的第一個(gè)的集成電路微處理機(jī)芯片，該芯片包括：

多數(shù)外接腳；

許多功能區(qū)被互相連接以擔(dān)任處理操作，至少有一該功能區(qū)提供的功能未存于該系統(tǒng)的第二個(gè)，該功能區(qū)被連接到該系統(tǒng)的該第二個(gè)中未使用的外接腳之一；

一相容性裝置，被連接到該功能區(qū)，及連接到該另一區(qū)以及連接到在該第二系統(tǒng)中未使用的該另一外接腳，該相容性裝置在該芯片被包括入該第二系統(tǒng)時(shí)用以使該功能區(qū)除能，且限定該另一區(qū)在該第二系統(tǒng)中以與其所代替的芯片的同樣方式但以由所說(shuō)先進(jìn)技術(shù)而獲得的較高的速度和性能來(lái)操作。

2、如權(quán)利要求第1項(xiàng)所述的芯片，其中所說(shuō)相容性裝置，當(dāng)該芯片被包括入該第一系統(tǒng)中時(shí)，使該功能區(qū)致能區(qū)致能且限定該其他區(qū)以用該新功能來(lái)操作。

3、如權(quán)利要求第1項(xiàng)所述的芯片，其中該功能區(qū)為一記憶處理區(qū)用以將虛位址轉(zhuǎn)譯成實(shí)位址，并提供一增加的實(shí)位址空間。

4、如權(quán)利要求第3項(xiàng)所述的芯片，其中該記憶處理區(qū)是連接到一所說(shuō)外接腳以接收和產(chǎn)生一額外的位址位元以提供該增加的實(shí)位址空間。

5、如權(quán)利要求第2項(xiàng)所述的芯片，其中所說(shuō)其他區(qū)包括一被連接到該相容性裝置和連接到該功能區(qū)的誤差探測(cè)區(qū)。該誤差探測(cè)區(qū)在該相容性裝置所選定的第一組或第二組條件下用以產(chǎn)生一輸出信號(hào)以表示一非法存取，該相容性裝置是作為該芯片所在系統(tǒng)中的功能。

6、如權(quán)利要求第5項(xiàng)所述的芯片，其中所說(shuō)其他區(qū)包括一記憶控制區(qū)，該記憶控制區(qū)被連接到該相容性裝置和連接到一用以防止定址一未用源的該外接腳，該誤差探測(cè)區(qū)限定該記憶控制區(qū)以根據(jù)該來(lái)自該誤差探測(cè)區(qū)的未用源信號(hào)來(lái)產(chǎn)生信號(hào)。

7、如權(quán)利要求第5項(xiàng)所述的芯片，其中該相容性裝置包括：

一電壓源和門(mén)控裝置，具有至少一對(duì)輸入端和一輸出端，該輸入端之一被連接到該一外接腳與該電壓源相同，該另一輸入端被連接到該功能區(qū)的一輸出，且該輸出端被連接到該誤差探測(cè)區(qū)，當(dāng)芯片被安裝在該第二系統(tǒng)時(shí)，該門(mén)控裝置則被致能以限制該誤差探測(cè)區(qū)并產(chǎn)生該輸出信號(hào)來(lái)回應(yīng)代表該第一組條件的信號(hào)，而當(dāng)該芯片被安裝在第一系統(tǒng)時(shí)該門(mén)控裝置則被除能以產(chǎn)生該輸出信號(hào)來(lái)回應(yīng)代表該第二組條件的信號(hào)。

8、如權(quán)利要求第7項(xiàng)所述的芯片，其中該功能區(qū)包括一加法器且該輸出對(duì)應(yīng)于該加法器的最高效位元，該加法器被連接以便將一進(jìn)位信號(hào)施加到該誤差探測(cè)區(qū)，該門(mén)控裝置當(dāng)被致能時(shí)則施加該最高效位元與代表該第一組條件的該進(jìn)位信號(hào)，而該門(mén)控裝置當(dāng)被除能時(shí)，則禁止代表該第二組條件的該最高效位元的應(yīng)用。

9、如權(quán)利要求第8項(xiàng)所述的芯片，其中該門(mén)控裝置包括一AND（與）門(mén)且該芯片是以具有該較高速度和性能的最新技術(shù)的MOSFET來(lái)制造。

10、一以產(chǎn)生高性能和低成本的新技術(shù)制造且用于一新計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的集成電路微處理機(jī)芯片，該芯片包括：

許多外接腳;

許多功能區(qū)被互相連接以擔(dān)任處理操作，至少有一該功能區(qū)提供的功能未存于現(xiàn)有系統(tǒng)中，該功能區(qū)被連接到該現(xiàn)有系統(tǒng)中未使用的外接腳之一;

一相容性裝置，被連接到該功能區(qū)，及連接到該其他區(qū)以及連接到在該現(xiàn)有系統(tǒng)中未使用的該另一外接腳;該相容性裝置在該芯片被無(wú)改變地安裝入該現(xiàn)有系統(tǒng)時(shí)是用以使該功能區(qū)除能，且限定該其他區(qū)以在該現(xiàn)有系統(tǒng)中以產(chǎn)生與它先前的芯片同樣的回應(yīng)并提供較高的性能和較低的成本。

11、如權(quán)利要求第10項(xiàng)所述的芯片，其中該相容性裝置，當(dāng)該芯片被安裝入該新系統(tǒng)中時(shí)，則使該功能區(qū)致能且限定該其他區(qū)用該新功能來(lái)操作。

12、如權(quán)利要求第10項(xiàng)所述的芯片，其中該功能區(qū)為一記憶處理區(qū)用以將虛位址轉(zhuǎn)譯成實(shí)位址，并且提供一增加的實(shí)位址空間。

13、如權(quán)利要求第12項(xiàng)所述的芯片，其中該記憶處理區(qū)是連接到一該外接腳以接收和產(chǎn)生一額外的位址位元以提供該增加的實(shí)位址空間。

14、如權(quán)利要求第11項(xiàng)所述的芯片，其中所說(shuō)其他區(qū)包括一誤差探測(cè)區(qū)，該誤差探測(cè)區(qū)被連接到該相容性裝置和連接到該功能區(qū)，該誤差探測(cè)區(qū)在該相容性裝置的控制下的第一或第二組條件下用以產(chǎn)生一未用源信號(hào)以表示一非法存取，該相容性裝置是作為該芯片所在系統(tǒng)中的一功能。