[其他]作為摻雜劑的磷酰三胺及其聚合物

在審

• 申請號: 85104374
• 申請日: 1985-06-05
• 公開（公告）號: CN85104374A
• 公開（公告）日: 1986-12-03
• 發明（設計）人: 羅伊斯·簡尼·阿尼羅;斯蒂芬·威克弗德·卡特林;丹尼爾·福蘭克·哈里斯
• 申請（專利權）人: 阿蘭德公司
• 主分類號: C07F9/06
• 分類號: C07F9/06;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、由磷摻雜劑配方形成一種感應導電性的薄膜，在此配方中的磷酰三胺在其揮發性溶劑中所占的比例至少為1.0%(重量)，此磷酰三胺可由含下述單體和聚合物的結構基團中來選擇，單體的結構式為

(RNH)₃P∶=X

而聚合物的結構式為

作為這種基本摻雜劑的組分，其中“R”是選自氫、含1～12個碳原子的脂肪族烷基、環烷基和芳基，X則選自含氧和硫的基團；并且至少有一個R基團，此R基團或是脂肪族烷基、環烷基、或是芳基。

2、據權利要求1所述摻雜劑的配方，其中，磷酰三胺至少含有大約0.1%（重量）的選自由環狀二聚物和環狀三聚物構成的基團中的環狀化合物，環狀二聚物的結構

環狀三聚物的分子式為：

還含有上述二式的混合物。

其中，R和X在不考慮氫的情況下，具有上面所給定的數值。

3、據權利要求1所述摻雜劑的配方，其中，基本摻雜劑的成份是單體。

4、據權利要求1所述摻雜劑的配方，其中，基本摻雜劑的成份是二聚物。

5、據權利要求1所述摻雜劑的配方，其中，基本摻雜劑的成份是三聚物。

6、據權利要求1所述摻雜劑的配方，其中，基本摻雜劑的成份是絨性聚合物。

7、一種向半導體材料提供權利1中所述的聚合物配方的方法，它包括將溶液狀的聚合物施加到硅片的表面，而硅片以每分鐘2000～10000轉的轉速旋轉;以在半導體材料上產生一層厚度約100～7000埃的聚合物薄膜，同時將經過處理的硅片在擴散爐中于氮氣氛（含0～30%的氧）中在850～1100℃下加熱0.1～2.0小時。

8、一種在半導體材料上摻雜質的方法，它包括：

（a）使半導體材料旋轉，

（b）同時，將一種溶液涂到上述的半導體材料上，該溶液至少具有1.0%（重量）的玻璃化樹脂，該樹脂是從按照權利要求1的配方配制的摻雜劑的薄膜中得到的。

9、據權利要求7所述的方法，其中，上述的施涂溶液具有的樹脂濃度大約為1.0%左右至40%（重量）。