[其他]生長桿狀紅寶石的方法及其裝置

無效

• 申請號: 85103282
• 申請日: 1985-04-29
• 公開（公告）號: CN85103282A
• 公開（公告）日: 1986-10-29
• 發明（設計）人: 王崇魯
• 申請（專利權）人: 天津市硅酸鹽研究所
• 主分類號: C30B29/20
• 分類號: C30B29/20;C30B27/02
• 代理公司: 天津市硅酸鹽研究所
• 代理人: 胡鳳梧

1、一種生長桿狀紅寶石的裝置，本發明的特征在于該裝置設有保溫套、模具，坩堝之上有鉬制保溫蓋，鎢制的感應發熱體上蓋有鉬制的后加熱器，坩堝下放置有氧化鋯托，氧化鋯保溫罩放在氧化鋯砂層上。

2、根據權利要求1，其特征在于保溫套是由石英管、氧化鋯砂、鉬片和氧化鋯墊構成。

3、一種生長桿狀紅寶石的方法。本發明的特征在于晶體生長作用在非還原性氣氛中和非過熱狀態下完成，單晶爐采用逆變式頻率為1800～3000赫芝中頻發生器與感應銅套管相偶合。

4、根據權利要求3，其特征在于單晶爐工作室第一次抽真空為2×10^-1乇級后，充4個“九”的純Ar至表壓0.1，其后第二次抽真空至5×10^-5乇級后，充入5個“九”的純Ar至表壓0.3。

5、根據權利要求3，其特征在于鉬坩堝和鎢感應發熱體的規格尺寸應該是相匹配的。