[其他]利用封閉邊界產生靜電四極場的結構

無效

• 申請號: 85102774
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85102774B
• 公開（公告）日: 1987-11-04
• 發明（設計）人: 華中一;王陽;范承善;谷超豪
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01J49/42
• 分類號: H01J49/42;G01N27/62
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 須一平

1、一種產生靜電四極場的結構，其中有四個金屬電極，其特征是該結構的邊界為封閉的，邊界由均勻厚度或厚度呈連續變化的高阻材料及電極構成，邊界上的電位隨位置作連續變化。

2、根據權利要求1所述的靜電四極場結構，其特征是邊界材料截面的內表面為圓形，邊界材料截面的厚度呈連續變化，邊界材料的外表面為四個象限對稱，上述圓形內表面上的電位隨位置按cos2θ的規律作連續變化。

3、根據權利要求1所述的靜電四極場結構，其特征是邊界為正方形，邊界由均勻厚度的高阻材料或薄膜構成，上述正方形的四條邊上的電位分別隨位置作線性變化。

4、根據權利要求1所述的靜電四極場結構，其特征是邊界為矩形，上述邊界由均勻厚度的高阻材料或薄膜構成，上述矩形的四條邊上的電位分別隨位置作線性變化，在垂直于Z軸的X、Y平面內，上述結構產生的等電位線為非正交的雙曲線族。

5、根據權利要求3所述的靜電四極場結構，其特征是邊界為正方形，邊界由直角導體板上放置一塊涂有均勻厚度的高阻薄膜的直角絕緣體組成，上述正方形邊界上只有一個電極，電極設在上述薄膜的彎角處。

6、根據權利要求3所述的邊界為正方形的靜電四極場結構，其特征是由一個以上上述正方形邊界結構組成的陣列式靜電四極場。

7、根據權利要求6所述的陣列式靜電四極場，其特征是用高氧化鋁瓷或微晶玻璃作本體，構成按某種圖形排列的正方形，用蒸發或濺射方法涂敷一層均勻厚度的高阻薄膜，再分別加上電極，構成陣列式靜電四極場。