[其他]復(fù)合腔波導(dǎo)互補(bǔ)激光器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85102608 | 申請(qǐng)日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1004248B | 公開(公告)日: | 1989-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜國(guó)同 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué);電子工業(yè)部第四十四研究所 |
| 主分類號(hào): | 分類號(hào): | ||
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 吉林省*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 波導(dǎo) 互補(bǔ) 激光器 | ||
1、一種由在半導(dǎo)體材料襯底上外延生長(zhǎng)的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器,其中有一層或多層形成有源區(qū),再加上兩端面形成反射鏡構(gòu)成諧振腔,激射條件下,在有源區(qū)內(nèi)載流子復(fù)合產(chǎn)生輻射發(fā)射,有源區(qū)是折射率導(dǎo)引區(qū)段和增益導(dǎo)引區(qū)組成的復(fù)合腔結(jié)構(gòu),本發(fā)明的特征是折射率導(dǎo)引區(qū)段中有一段是壓縮形雙異質(zhì)結(jié)構(gòu),增益導(dǎo)引區(qū)段中有一段是氧化物隔離條形段。
2、一種按照權(quán)利要求1所述的(復(fù)合腔波導(dǎo)互補(bǔ))激光器,其特征在于用壓縮形雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)和氧化物條形兩種結(jié)構(gòu)組成復(fù)合腔,是兩段式或多段式結(jié)構(gòu)。
3、一種按照權(quán)利要求2所述的激光器,其特征在于對(duì)兩溝間距為30~40μm的壓縮形結(jié)構(gòu),最佳腔長(zhǎng)比例為壓縮形段占整個(gè)腔長(zhǎng)的1/3~1/4。
4、一種按照權(quán)利要求2所述激光器的制造方法是,把原來在襯底上光刻腐蝕成通長(zhǎng)雙溝槽改為光刻腐蝕成分段溝槽,采用壓縮形結(jié)構(gòu)外延工藝一次外延完成生長(zhǎng)。
5、一種按照權(quán)利要求4所述的激光器,其特征在于最佳外延厚度和摻雜條件為,第一層AlxGal-xAs層厚2μm左右,摻Sn(lgGa熔體摻Sn20~25mg)濃度為1~2×1017cm-3,第二層有源區(qū)不摻雜,第三層AlxGal-xAs層厚1~1.5μm,摻Ge(lgGa熔體摻Ge3.5~5mg)濃度為1~2×1717cm-3,第四層GaAs層厚度為0.2~0.5μm,摻Ge(lgGa熔體摻Ge0.1~0.3mg)雜質(zhì)濃度為1~2×1017cm-3。
6、一種按照權(quán)利要求5所述的激光器,其特征在于有源區(qū)生長(zhǎng)為AlyGal-yAs材料,y值可在0.05~0.3之間變化,上下限制層的Al含量x值也適當(dāng)提高調(diào)到0.4~0.7。
7、一種按照權(quán)利要求5、6所述的激光器,其特征在于在下限制層和有源區(qū)之間生長(zhǎng)一層AlzGal-zAs波導(dǎo)層,波導(dǎo)層為n型,Al含量z值比有源層Al量y值高出0.1~0.2。
8、一種按照權(quán)利要求1所述的(復(fù)合腔波導(dǎo)互補(bǔ))激光器,其特征在于由壓縮形、氧化物條形、梯形襯底三種結(jié)構(gòu)結(jié)合構(gòu)成復(fù)合腔,是三段式或三段以上的多段式。
9、一種按照權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于可以按照公式
和具體工藝條件估算出折射率導(dǎo)引段和增益導(dǎo)引段腔長(zhǎng)的最佳比例,以保持良好的光功率曲線線性同時(shí)又具有最大的單模輸出功率。
10、一種按照權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于用InP材料制造成1.1~1.6μm波長(zhǎng)的激光器及用其它材料制造的0.5~0.74μm和1.6~3μm波長(zhǎng)的激光器。
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