[其他]集成濾波器線路無效
| 申請號: | 85102345 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85102345B | 公開(公告)日: | 1988-04-13 |
| 發明(設計)人: | 三浦邦昭;福島勇夫;岡田義憲;工藤滿;久保田畯 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H03H7/01 | 分類號: | H03H7/01;H03J7/04;H03J7/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
| 地址: | 日本東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成 濾波器 線路 | ||
這項發明是關于一集成濾波器線路,它適合于制造在一塊硅片上的單片集成電路(單片IC)內或類似電路內。
由于集成電路(單片IC,或在下面簡寫為IC)集成度的提高,實現分立元件濾波器的集成化已變得很重要,它可用來生產小而價廉的線路,迄今為止所使用的大多數的濾波器,是由電感L、電容C以及電阻R所構成。因為電感L難于集成化,僅由電容C和電阻R構成的有源濾波器,是適宜于做成集成電路的。圖1示出了一個眾所周知的雙T陷波電路。在該圖中,如果電阻R1、R2、R3和電容C1、C2、C3選成具有如下的關系:
〈&&〉
當我們將這種結構的濾波器制造成集成電路時,就會遇到一個離散的問題。這就是在集成電路中,由于半導體中含有參差不一的雜質濃度和掩模對得不齊,各個電容和電阻的數值都是離散的。舉例來說,電容C的容量和電阻R的阻值分別具有±20%和±*%之大的變化。因此,圖1的陷波濾波器的陷波頻率,在如圖2所示的a(fr)到b(f′)的范圍內變化。在最壞的情況下,陷波頻率fr偏離±35%。在這種情況下,濾波器的實際應用是極其困難的。為了克服這個困難,用激光修整,使得集成電路塊上電阻的阻值得到調節,以致電阻的離散能夠得到克服。但是,這種方法不能解決精密度、產量等等問題。
因此,這項發明的目標是要提供一種具有克服集成電容和電阻離散的能力,以及由于消除了上述缺點,能保證獲得好特性的集成濾波器線路。
為了達到本發明的這個目標,這里提供了一種集成濾波器線路,它由許多并聯的濾波器線路所組成。而每一濾波器線路又由多個電容和多個電阻構成。這些元件不論是電阻或電容,至少具有不同的數值。并采用選擇一個并聯濾波器的方法,就可以使集成電容和電阻的離散得到克服。另外,采用變容二極管作為集成電容,能夠擴大克服離散的范圍,并提高精密度。
現在的這項發明,可以從下面的詳細描述及附圖中顯而易見。在附圖中:
圖1是一個雙T型陷波濾波器的線路圖;
圖2是表示陷波頻率離散的特性曲線圖;
圖3是這項發明的一個具體方塊圖;
圖4是圖3具體實例的一個線路圖;
圖5是用來解釋克服陷波頻率離散的圖;
圖6是這項發明的另一具體線路圖;
圖7是變容二極管一條特性的圖形;
圖8和圖9是用來說明變容二極管結構的示圖;
圖10和11是這項發明的另外兩個具體實施例;
圖12A是按照這項發明設計的濾波器線路的一個轉換線路例子的方塊圖;
圖12B是通過頻譜分析儀所檢測的一頻譜。
圖13、14a、14b是圖12中所示的開關103的具體電路;
圖15為本發明中一低通濾波器實施例;
圖16為本發明中一高通濾波器實施例;
圖17是說明圖15、16中陷波頻率的特性曲線圖。
此項發明的一個具體化實例,將參照圖3及后面的圖予以描述。圖3是這項發明的一個實施例的方塊圖。參閱圖3,這里表示出兩個相類似的濾波器2和3,每個濾波器不但至少要包括有多個電阻器R和多個電容器C,而且至少是各電阻器R或各電容器C的數值都是不相同的。圖中表示的4和5,是分別為濾波器2和3的前后提供的轉換線路。轉換線路4和5從一控制引腳8獲得一控制信號VS,致使濾波器2和3的一個由開關選通。作為一個例子,轉換線路4和5每一個都是由一晶體管開關線路所構成。所有的濾波器線路2和3以及轉換線路4和5,可以制造成為一個單一的集成電路(IC)1。圖中的6和7分別表示IC1的信號輸入引腳和輸出引腳。一個加到輸入引腳6的輸入信號Vi,通過轉換線路4,濾波器2和轉換線路5;或者是通過轉換線路4、濾波器3和轉換線路5,到達輸出引腳7。在這里出現一個輸出信號V0。
圖4是如圖3所示的IC1的一個具體實例的線路圖。在圖4中,濾波器2和3都是雙T型濾波器。濾波器2由電阻器R1、R2和R3以及電容器C1、C2和C3所組成,它們的相對值選擇為:
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