[其他]一種控制和延長(zhǎng)物質(zhì)向周圍環(huán)境物釋放的疊層裝置之生產(chǎn)方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85102106 | 申請(qǐng)日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN85102106B | 公開(公告)日: | 1988-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 卡迪納奧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美國(guó)輝瑞有限公司 |
| 主分類號(hào): | A61D7/00 | 分類號(hào): | A61D7/00;A61K9/24;B32B31/16 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人: | 羅宏,劉元金 |
| 地址: | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 控制 延長(zhǎng) 物質(zhì) 周圍環(huán)境 釋放 裝置 生產(chǎn) 方法 | ||
1、一種控制和延長(zhǎng)至少一種活性劑釋放到周圍環(huán)境物的裝置之生產(chǎn)方法,其方法包括:
將至少一塊含有由該活性劑和一種聚合物基體所組成的混合物的芯片層壓在共延展的聚合物薄膜之間,而所述薄膜對(duì)該的環(huán)境物和對(duì)活性劑基本上是不能滲透,
然后再將一個(gè)或許多個(gè)大孔穿過所說的各薄膜和所說的芯片,
所說的大穿孔的直徑和排列形式與被選定的該芯片厚度有關(guān),而被選定的芯片厚度是為了使該芯片有足夠的內(nèi)側(cè)面積暴露于所說的環(huán)境物中,以得到該活性劑的理想釋放速率。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所說的大孔是對(duì)稱地被遍布在所說的裝置的表面,而所說的芯片包含一種在聚合物基體中的活性劑的均勻混合物。
3、根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所說的大孔是圓形的,直徑從0.5至10毫米。
4、根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中該芯片的周邊由基本上不能滲透環(huán)境物和所說活性劑的薄膜所覆蓋。
5、根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所說的活性劑被分散或溶解在所說的芯片內(nèi),而該活性劑的用量為該芯片重量的0.1%至0.75%。
6、根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一種方法,其中所說的芯片包括由所說的活性劑,一種在所說環(huán)境物中具有有限溶解度的分散的波諾生金(Porosigen)和一種聚合物的基體所組成的混合物。
7、根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所說的活性劑為藥物。
8、根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中所說的活性劑為一種殺腸寄生蟲藥物。
9、根據(jù)權(quán)利要求8的方法,其中所說的活性劑為一種水溶性的噻烯氫嘧啶、噻嘧啶或左旋咪唑的酸加成鹽。
10、根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中所說的活性劑為噻烯氫嘧啶檸檬酸鹽或噻烯氫嘧啶酒石酸鹽。
11、根據(jù)權(quán)利要求1或10的方法,其中所說的芯片和所說的共延展聚合物薄膜包含乙烯醋酸乙烯共聚物。
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