[其他]磁性的錄音媒介無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85101735 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85101735A | 公開(公告)日: | 1987-02-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 失沢健兒;屋春子 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | G11B5/85 | 分類號: | G11B5/85 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 巫肖南,李雒英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁性 錄音 媒介 | ||
本發(fā)明是有關于一個稱為幼片式的磁性錄音媒介,它的組成是把一塊主要由Co(鈷),Ni(鎳)與Fe(鐵)所組成的鐵磁體薄片積聚在一個非磁性的基片上。
傳統(tǒng)磁性錄音媒介包括了一磁性薄片,此薄片由在非磁性基片上鍍上含有磁性結晶體粉劑與膠合劑聚合體的磁性鍍體物質所制成。相反地,一個幼片式磁性錄音媒介包括了一種磁性薄片,此薄片以真空積聚如Co(鈷),F(xiàn)e(鐵)與Ni(鎳)或合金的鐵磁體金屬于一個非磁性的基片上制成,同時它不如上述的鍍體式磁性錄音媒介一般要使用非磁性膠合劑聚合體。因此,這幼片式磁性錄音媒介提供了一個高剩余磁性流動密度。再者,由于幼片式錄音媒介的幼磁片可以造得極幼,就可獲得高輸出量與對短波長的高度回應的好處。不過假若只單靠積聚一種如鈷等的磁體金屬在一個非磁性的基片上就很難得到一個有高抗磁力的磁片。例如在美國專利權號3,342,632及4,239,835中就曾經公開一種斜角地放下的積聚方法去制成一種有高抗磁力的金屬磁性薄片的建議。不過,這些方法有很多缺點,包括低的積聚效率與生產量。
本發(fā)明的目標是提供一種改進了的磁性錄音媒介。
本發(fā)明的另一個目標是提供一種改良的磁性錄音媒介,這一媒介有一以天然蒸氣積聚制成的鐵磁體金屬幼片。
本發(fā)明的進一步目標為提供一種具有高度抗磁力的磁性錄音媒介。
本發(fā)明另一進一步目標是提供一種擁有改良聲率訊號的磁性錄音媒介。
本發(fā)明的再進一步目標是提供一種擁有出現(xiàn)在磁性錄音層表面的各向同性的磁性特征,
本發(fā)明提供了一種磁性錄音媒介,這媒介包括一種非磁性的基片與一個以天然蒸氣積聚形成在基片上的鐵磁體層,此處的鐵磁體層是由鐵磁體金屬元素與非磁性金屬元素所造成,而非磁性金屬元素分布在鐵磁體層中,高度集中在基層中近基片部分,而在層中近表面部分則較低。
另一方面,本發(fā)明提供了一種磁性錄音媒介。這個媒介包括了一非磁性的基片與一個以天然蒸氣積聚在基片上形成的鐵磁體層,此處的鐵磁層是由鐵磁金屬元素,非磁性金屬元素與氧組成。而非磁性金屬元素分布在鐵磁層中,高度集中在層中近基片部分,而在層中近表面部分則較低。此外,氧也是分布在鐵磁層中,分布情況也是和非磁性金屬元素差不多。
其他有關本發(fā)明的目標與好處將在以下的說明與附圖中清楚列明。附圖的簡略說明:
圖1.顯示一個在本發(fā)明中應用的真空積聚儀器。
圖2至5是成分分布圖,按照用奧杰(Auger)電子分光學對舉例與對照例中的磁片厚度加以量度而繪成。
理想中的具體表現(xiàn)形式的詳細說明:
按照本發(fā)明,非磁性金屬是分布在形成于非磁性基片上的鐵磁片中。非磁性金屬分布至整張鐵磁片無厚度,而濃度增減率以基片部分較高。由此,得到一個有高抗磁力Hc的幼片式錄音媒介。此外,由于幼片式的錄音媒介是可以由垂直積聚所制成。在這種程序中,蒸氣柱垂直地加到基片上,因此在磁性錄音層的表面上有著各向同性的磁性特征。
另外,按照本發(fā)明,非磁性金屬按預定的濃度增減率分布于形成在基片上的鐵磁層上。而氧的濃度增減率如非磁性金屬般根據(jù)鐵磁層的厚度,較集中在近基片部分。結果在鐵磁層中的金屬粒子被非磁性金屬的氧化物分解開來。這樣便可以在這種幼片式磁性錄音媒介中,減低電子磁性轉換的噪音特征與在沒有減少磁性特征的情況中改進S/N比率。
圖1.顯示本發(fā)明中使用的真空存放儀器1.,這真空存放儀器1.是由以下各部分構成:真空室2.,在真空室內的金屬罐3.,非磁性基片4,它由一個供應捲軸5,供給繞過金屬罐3.到接收捲軸6,還有一個非磁性金屬蒸發(fā)源,例如Bi(鉍)蒸發(fā)源7.作為基層,一個鐵磁金屬蒸發(fā)源,例如Co(鈷)蒸發(fā)源8作為鐵磁層,而蒸發(fā)源7與8都被安排在金屬罐3.對面,阻隔片9從金屬罐3.開始把蒸發(fā)源7與8分隔,作用是讓由蒸發(fā)源7與8所蒸發(fā)的金屬分別獨立流動。遮板10.安排在蒸發(fā)源7.8與金屬罐3.之間。從儀器1.輸送至非磁性基片4,首先Bi(鉍)蒸發(fā)源7就蒸發(fā)出Bi(鉍),在非磁性基片4.上形成一個由Bi累積的薄層而成的基層,跟著Co(鈷)蒸發(fā)源8也蒸發(fā)Co(鈷),在基層上形成Co磁性片。
例1.
用以上所述的真空積聚儀器1,在真空狀態(tài)下環(huán)繞金屬罐30把非磁性基片4的聚酰亞胺片由供應捲軸5,供給接收捲軸6。把非磁性基片4.的溫度調較至150℃。首先蒸發(fā)源7把Bi蒸發(fā)到基片4.上形成厚度達100A°的Bi基層,然后蒸發(fā)源8把Co蒸發(fā)到Bi基層上形成厚達300A°之Co磁片。經過真空積聚后,累積而成的磁帶在真空狀態(tài)與150℃氣溫之條件下冷卻一小時。這樣,就制成例1.的磁樣版了。
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