[其他]調(diào)諧振蕩器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85101664 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1003971B | 公開(kāi)（公告）日： | 1989-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 村上義和;伊藤誠(chéng)吾;山田敏郎 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | 分類(lèi)號(hào)： | ||
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 調(diào)諧 振蕩器 | ||
1、一調(diào)諧振蕩器，包括：一有源元件，一磁鐵諧振器，一微帶線和直流偏置磁場(chǎng)裝置，其特征在于：所述磁鐵諧振器是由磁鐵晶體構(gòu)成，所述微帶線電磁地與所述磁鐵晶體相耦合，所述直流偏置磁場(chǎng)裝置將直流偏置磁場(chǎng)施加至所述磁鐵晶體，所述微帶線與所述有源元件相連;所述磁鐵晶體由通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成的一YIG（鐿、鐵和石榴石）薄膜構(gòu)成，并且諧振是利用磁鐵諧振的均勻模式。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)諧振蕩器，其特征在于：所述磁鐵晶體為通過(guò)液相外延生長(zhǎng)技術(shù)在非磁性襯底上形成的薄膜YIG。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)諧振蕩器，其特征在于：所述非磁性襯底是一鐿鎵石榴石單晶體。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)諧振蕩器，其特征在于：所述磁鐵晶體是一在其外圍部分上有一溝的YIG薄盤(pán)。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)諧振蕩器，其特征在于所述磁鐵晶體為一YIG薄盤(pán)，其中心部分的厚度小于其外圍部分的厚度。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)諧振蕩器，其特征在于還包括一與所述有源元件相連的阻抗匹配元件。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)諧振蕩器，其特征在于還包括一與所磁鐵晶體相連的阻抗匹配元件。
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