[其他]新型陶瓷材料及其制備方法無效
| 申請號: | 85101457 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85101457A | 公開(公告)日: | 1986-08-20 |
| 發明(設計)人: | 馬克·史蒂文斯·紐克克;斯蒂文·弗蘭克·迪尤 | 申請(專利權)人: | 蘭克西敦公司 |
| 主分類號: | C04B35/10 | 分類號: | C04B35/10 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 羅英銘,劉元金 |
| 地址: | 美國19711*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 新型 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
1、生產一種自行支撐的陶瓷結構的方法,其特征為,此方法以蒸汽相的氧化環境去氧化液相母體金屬,包括下列步驟:
a、選擇一種母體金屬與一種氧化環境的組合方式,使穩定的多晶氧化物作為它們的反應產物而形成,此種多晶氧化物反應產物與熔融的母體金屬間具有這樣的表面能關系,使得至少在保證1)此多晶氧化物反應產物穩定,與2)此母體金屬處于熔融態,這樣的溫度區間的某一段上,至少有多晶氧化物的某些晶界,它們相對于兩種在幾何上對等的氧化物-母體金屬界面邊界的其他構型而言,是不穩定的;
b、將上述母體金屬保持于所稱的氧化環境及上述溫區中談及的那一段內,使熔融的母體金屬,隨著反應產物的形成,通過此多晶氧化物的反應產物,并沿著那些相對于所說氧化物-母體金屬界面邊界的其他構型為不穩定的晶界遷移,這樣就使得母體金屬通過它的氧化反應產物遷移,并繼續將熔融母體金屬輸送到此多晶氧化反應產物與所說氧化環境二者的界面上,同時生長成一種陶瓷結構,其中主要包含此種氧化物反應產物以及所稱母體金屬中的至少某些金屬成份。
2、根據權利要求1規定的方法,其中所說的母體金屬是鋁或一種鋁合金。
3、根據權利要求1規定的方法,其中所說的氧化氣氛為空氣。
4、根據權利要求2規定的方法,進一步包括有這樣一道工序,即以至少包括兩種摻雜物的系統熔鑄到指出的鋁金屬內,對它進行內摻雜。
5、根據權利要求4規定的方法,其中的一種摻雜物為觸發劑摻雜物,而另一種摻雜物為加速劑摻雜物。
6、根據權利要求5規定的方法,其中所說的觸發劑摻雜物為鎂,而所說的加速劑摻雜物為IVB族中的一種元素。
7、根據權利要求6規定的方法,其中所說的IVB族元素至少是選自硅、錫、鍺與鉛這一組中的一種元素。
8、根據權利要求6規定的方法中,其中所說的鎂的含量在約0.3%至10.0%之間,而所說的IVB族元素的含量在約0.5%至約10.0%之間,以上百分比都是相對于鋁合金的總重而言。
9、根據權利要求2中規定的方法,其中的處理溫度在約1000℃至約1450℃之間。
10、按權利要求1中工藝生產的一種陶瓷制品。
11、一種材料,其特征在于,它由在三維方向上相互連通的多晶氧化物結構組成的材料,其中金屬組份按體積計的含量在2%至35%之間,所說氧化物的絕大部分晶界的角度失配小于20°。
12、按權利要求11中所述的一種材料,其中所說的氧化物結構含有一種或多種,主要按相互連通的排列分散于其中的金屬,而這種或這些金屬按體積計算,約占所說材料的15~35%。
13、根據權利要求11中所述的一種材料,其中所說的氧化物結構含有一種或多種,主要作為互不連通的夾雜物分散于其中的金屬,而這種或這些金屬,按體積計,不超過所說材料的15%。
14、根據權利要求11或13中所述的一種材料,其中按體積計算,含有10~35%的相互連通的孔隙空間。
15、根據權利要求14中所述的一種材料,其中的孔隙空間是以半徑小于1微米的通道連接。
16、根據權利要求13中所述的一種材料,其中的孔隙空間,按體積計算,不超過所說材料的5%。
17、根據權利要求11~16中所述的一種材料,其中所說的相互連通的氧化物由α氧化鋁組成。
18、根據權利要求12、13或16中所述的一種材料,其中鋁是所說的金屬,它以單獨的或與其他金屬組合的形式存在,而所說的相互連通的氧化物則為α氧化鋁。
19、一種材料,其特征是由在三維方向上相互連通的多晶氧化物結構組成的材料,其中含有一種或多種分散的金屬夾雜物,它們按體積計約占所說材料的2%至12%,而這些夾雜物基本上是互不連通的。
20、根據權利要求19中所述的一種材料,所含孔隙體積在3%與12%之間,它們有規則地分布在此材料內,至少在該材料的兩個表面上大部分是相互連通的。
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