[其他]能隙差穩壓電源無效
| 申請號: | 85100723 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100723A | 公開(公告)日: | 1986-08-06 |
| 發明(設計)人: | 張開遜 | 申請(專利權)人: | 張開遜 |
| 主分類號: | G05F1/614 | 分類號: | G05F1/614 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 北京市德勝門*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 能隙差 穩壓電源 | ||
1、一種采用電子學方法獲得的能隙差穩壓電源,由半導體器件構成,其特征在于采用置于同一溫度場中的兩種p-n結或兩種肖特基二極管正向電壓之差作為電源的輸出,所說的兩種p-n結各自由絕對零度禁帶寬度值不同的半導體材料構成,所說的兩種肖特基二極管各自具有不同的勢壘高度。
2、如權利要求1所述,分別調節所說的兩種p-n結或所說的兩種肖特基二極管的正向電流,使所說的兩種p-n結正向電壓溫度系數相差在10%以內,或使所說的兩種肖特基二極管正向電壓溫度系數相差在10%以內。
3、如權利要求2所述,分別向所說的兩種p-n結或兩種肖特基二極管輸入與Tb成正比或與其相差在10%以內的正向電流(其中T為絕對溫度,b為無量綱指數,對p-n結0≤b<6,對肖特基二極管0≤b<4)。
4、如權利要求1所述,所說的穩壓電源由一個正向導通的p-n結和另一個與其禁帶寬度值不同的正向導通的p-n結構成,或分別由M(M是任何大于1的正整數)個上述p-n結串聯構成,或由一個正向導通的肖特基二極管和另一個與其勢壘高度不同的正向導通的肖特基二極管構成,或分別由M個上述肖特基二極管串聯構成。
5、如權利要求1或2所述,所說的兩種正向導通的p-n結或兩種肖特基二極管正向電壓分別經過增益相同的線性電路處理之后構成穩壓電源。
6、如權利要求1或2所述,分別調節所說的兩種p-n結或兩種肖特基二極管正向電流,使其具有不相同的正向電壓溫度系數,獲得電壓溫度系數可以連續變化、正負溫度系數可以選擇的線性溫度漂移特性電壓源。
7、如權利要求1所述,分別采用GaAs??p-n結和Ga-As-P??p-n結構成所說的穩壓電源,連續改變Ga-As-P材料中P和As的配比使其禁帶寬度值連續變化,使所說的穩壓電源的輸出電壓值連續改變。
8、如權利要求1所述,分別采用Si??p-n結和GaAs??p-n結或Si??p-n結和P、As配比可以改變的Ga-As-P??p-n結構成所說的穩壓電源。
9、如權利要求1所述,所說的穩壓電源做成集成電路。
10、如權利要求1所述,所說的置于相同溫場中的兩種p-n結或兩種肖特基二極管燒結、粘貼、鑲嵌在同一塊基片上,或用其他導熱介質包復、聯結在一起,或置入金屬物體內腔或浸泡在液體介質中。
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