[其他]四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物的薄膜、制備方法及應用

無效

• 申請號: 85100445
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100445A
• 公開（公告）日: 1986-07-09
• 發明（設計）人: 周仁沫
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海有機化學研究所
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;B32B27/28
• 代理公司: 中國科學院上海有機化學研究所專利辦公室
• 代理人: 鄔震中,石家榮

1、一種四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物薄膜，其特征是含有8-50%重量的四氟乙烯、92-50%重量的偏氟乙烯的共聚物。

2、如權利要求1所述的四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物的薄膜，其特征是厚度為2～8微米的無色透明的薄膜。

3、如權利要求1所述的四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物薄膜，其特征是含有15-35%重量的四氟乙烯，85-65%重量的偏氟乙烯共聚物。

4、如權利要求1，2或3所述的四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物薄膜制備方法，其特征是包括C₃-C₄脂肪酰胺，如二甲基甲酰胺二甲基乙酰胺等，C₃-C₆脂肪酮，如丙酮、丁酮等溶劑中的二種或二種以上溶劑組成的混合溶劑溶介共聚物，再澆鑄成膜。

5、如權利要求4所述的生產薄膜的工藝，其中包括共聚物在上述的混合溶劑中的重量為0.5%～2%。

6、如權利要求4所述的生產薄膜的工藝，其中包括成膜溫度為100℃～200℃，時間30-60分鐘。

7、如權利要求1，2或3所述的四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物的薄膜，其特征是可與各種材料組成復合材料，如與金屬、晶體、紅外材料、玻璃、金屬、木材等材料復合構成復合材料。

8、如權利要求1，2或3所述的四氟乙烯和偏氟乙烯共聚物薄膜，其特征可以與硫酸三甘鈦單晶組成復合材料。