[其他]高耐磨性高韌性氮化硅基陶瓷刀具材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85100177 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100177B | 公開(公告)日: | 1987-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 苗赫濯;馬德金;羅振璧;衷待群;江作昭;劉兆男 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/58 | 分類號: | C04B35/58 |
| 代理公司: | 清華大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人: | 穆湘容 |
| 地址: | 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 耐磨性 韌性 氮化 陶瓷 刀具 材料 | ||
本發(fā)明涉及一種改進的氮化硅(Si3N4)基陶瓷材料,特別是一種適宜于用作刀具的由氮化硅基體、耐磨的分散相和耐高溫的晶界相組成的陶瓷材料。
近年來氮化硅作主晶相基體,碳化鈦(TiC)作耐磨分散相做成的刀具,具有很好的切削效果,這是因為氮化硅和碳化鈦都有很好的耐磨性。但是以往這類刀具材料的晶界相,常常是高溫性能較差的玻璃相,在切削溫度下由于晶界玻璃相的軟化將會影響到刀具的切削性能。歐洲專利EP0035777,采用氮化硅作基體,碳化鈦作耐磨分散相,氧化釔(Y2O3)等,作為致密化助劑。實際上,由致密化助劑和材料中的雜質(zhì)如SiO2等所形成的晶界常為玻璃相,因而影響刀具的耐磨性和切削壽命。
由于在切削過程中,刀尖部分溫度很高,可達1000℃以上。因此晶界玻璃相不良的耐熱性將嚴重影響氮化硅主晶相固有耐磨性能的發(fā)揮,從而影響刀具的切削性能和切削壽命。
本發(fā)明的任務(wù)就是維持Si3N4作為主晶相基體和耐磨的TiC作為分散相,通過改變致密化助劑和適當?shù)墓に?,來改善Si3N4晶界相的結(jié)構(gòu),從而提高其耐熱性和高溫強度,增加刀尖部分在切削高溫下的耐磨性。
本發(fā)明的任務(wù)以下述兩方面來完成,在配料中除加少量的Y2O3或其他稀土氧化物,還可加入Al2O3或MgAl2O4,MgO,ZrO2等氧化物中的一種或一種以上的混合物,為了阻止晶粒過分發(fā)展和促進致密化的作用,還加入少量AlN;為了盡可能減少晶界的玻璃相,提高晶界相的耐熱性,可對材料進行退火處理,使晶界形成一部分熔點較高的結(jié)晶相。如釔鋁石榴石、氧氮化鋁硅固溶體等,由于致密化助劑的加入量是很小的,所以主晶相仍為β-Si3N4。通過上述措施,最后可獲得高耐磨性高韌性的陶瓷刀具材料。
對本發(fā)明的詳細描述如下:根據(jù)本發(fā)明,在重量100份的α-Si3N4粉末中,外加入耐磨的分散相TiC粉末5~30份,致密化助劑Y2O3或其他稀土氧化物1~10份,Al2O3或其他氧化物如MgAl2O4,ZrO2,MgO等,0.5~5份,AlN0.5~5份。
對原材料的技術(shù)要求可為:Si3N4粉末中α相大于90%,純度>95%,平均粒徑在0.1~2.0μ范圍內(nèi);TiC的純度>98%,平均粒徑在0.1~3μ范圍內(nèi);致密化助劑的純度大于98%,平均粒徑為0.1~3μ的范圍。
根據(jù)本發(fā)明,這種耐磨的氮化硅基陶瓷刀具材料,可采用熱壓或高溫等靜壓法來達到致密化。熱壓的溫度范圍可為1600~1850℃,壓力可為150~400kg/cm2,恒溫時間可為15~90分鐘。其工藝過程如下:將α-Si3N4、TiC、致密化助劑等粉末按合適的比例稱量,進行混磨、烘干、造粒,然后將混合粉末裝入石墨模具中,置于熱壓爐內(nèi)進行升溫加壓工藝,得到的β-Si3N4為基的材料,再進行退火處理,退火是在氮氣或氬氣中進行,退火溫度可在1200~1500℃范圍內(nèi),升溫時間為0.5~2小時,恒溫時間為0.5~4小時,最后切割成刀片使用。
用本發(fā)明所述的工藝制得的高耐磨性氮化硅基陶瓷材料,其主晶相應(yīng)為β-Si3N4分散相為TiC,其晶界相應(yīng)為結(jié)晶相與極小量玻璃相。
根據(jù)本發(fā)明所制得的高耐磨性氮化硅基陶瓷材料,可用來加工淬硬鋼,冷硬鑄鐵等難加工材料,不僅可以作刀具,還可用來制作精密軸承、軸套、量塊、導(dǎo)軌、噴嘴和拔絲模等多種機械零部件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué),未經(jīng)清華大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/85100177/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:咪唑類化合物及其制備方法和它們作為殺菌劑的用途
- 下一篇:枕間夯實機
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法





