[實用新型]一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池有效
| 申請號： | 202320819469.2 | 申請日： | 2023-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN219478460U | 公開（公告）日： | 2023-08-04 |
| 發明（設計）人： | 程楓;劉祖剛;姚鑫 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | H10K30/86 | 分類號： | H10K30/86;H10K30/10;H10K30/50;H10K85/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 空穴 傳輸 鈣鈦礦 太陽能電池 | ||
1.一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，所述鈣鈦礦太陽能電池自下而上依次包括FTO透明導電襯底、PEDOT：PSS空穴傳輸層、鈣鈦礦吸光層，PCBM電子傳輸層、Ag金屬電極，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽能電池還包括介于PEDOT：PSS空穴傳輸層和鈣鈦礦吸光層之間的TAPC空穴傳輸層。
2.根據權利要求1所述的一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述TAPC空穴傳輸層的HOMO能級為-5.4eV，介于HOMO能級為-5.0eV的PEDOT：PSS空穴傳輸層與HOMO能級為-5.5eV的鈣鈦礦吸光層之間。
3.根據權利要求1所述的一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述透明導電襯底的材料為FTO導電襯底，所述空穴傳輸層的材料為PEDOT：PSS，所述鈣鈦礦吸光層的材料為FAPbI3，所述電子傳輸層的材料為PCBM，所述金屬電極的材料為Ag。
4.根據權利要求1所述的一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述TAPC空穴傳輸層通過旋涂法沉積在所述PEDOT：PSS空穴傳輸層上。
5.根據權利要求1所述的一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述PEDOT：PSS空穴傳輸層的厚度為10-20nm，所述鈣鈦礦吸光層的厚度為400-600nm，所述PCBM電子傳輸層的厚度為20-40nm，所述Ag金屬電極的厚度為100-150nm。
6.根據權利要求1所述的一種基于雙空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述TAPC空穴傳輸層的厚度為3-7nm。
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