[實用新型]BiMOS半導體裝置有效
| 申請號： | 202320656480.1 | 申請日： | 2023-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN219610441U | 公開（公告）日： | 2023-08-29 |
| 發明（設計）人： | 中村研貴;米田真也;塚田能成;小堀俊光;根來佑樹;前田康宏 | 申請（專利權）人： | 本田技研工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;黃健 |
| 地址： | 日本東京*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | bimos 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種BiMOS半導體裝置，包括連續配置的數個BiMOS半導體，其中每個所述BiMOS半導體包括：
漏電極與形成于所述漏電極側的漂移層；
源電極與形成于所述源電極側的源極接觸層；
柵電極，形成在所述源極接觸層旁邊；
基極層，形成在所述漂移層與所述源極接觸層之間，且所述基極層包含由所述柵電極形成的溝道區；以及
基電極，與所述基極層相連，
其特征在于，在所述BiMOS半導體裝置中，
在連續配置的所述柵電極之間的所述漂移層包括柱層，所述柱層中交替形成有第一導電型與第二導電型的數個柱，且
在所述柱層與所述基極層之間形成有導電型與所述基極層不同的中間層。
2.根據權利要求1所述的BiMOS半導體裝置，其特征在于，所述中間層的摻雜濃度小于所述柱層中與其相同導電型的所述數個柱的摻雜濃度。
3.根據權利要求1所述的BiMOS半導體裝置，其特征在于，所述中間層為N型，所述基極層為P型。
4.根據權利要求1所述的BiMOS半導體裝置，其特征在于，所述中間層為P型，所述基極層為N型。
5.根據權利要求1所述的BiMOS半導體裝置，其特征在于，還包括：漏極層，形成在所述漂移層與所述漏電極之間。
6.根據權利要求1所述的BiMOS半導體裝置，其特征在于，還包括：基極摻雜層，形成在所述基極層與所述基電極之間，其中所述基極摻雜層的摻雜濃度大于所述基極層的摻雜濃度。
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