[實用新型]一種減小寄生電容couple影響的陣列基板

有效

• 申請號: 202320116235.1
• 申請日: 2023-01-28
• 公開（公告）號: CN219267655U
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 毛清平
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 福州市京華專利代理事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 吳學林

1.一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，包括：

玻璃襯底；

第一金屬層，鍍在所述玻璃襯底的上表面，形成了間隔分布的柵極、第一CK信號走線與第三CK信號走線，所述第一CK信號走線的電位高低與所述第三CK信號走線的電位高低相反；

柵絕緣層，鍍在所述玻璃襯底與所述第一金屬層的上表面，所述柵絕緣層開設有第一挖孔、第二挖孔與第三挖孔，所述柵極露出于所述第一挖孔，所述第一CK信號走線露出于所述第二挖孔，所述第三CK信號走線露出于所述第三挖孔；

畫素電極，鍍在所述柵絕緣層的上表面，還位于所述柵極的側方；

第一電極塊，鍍在所述第一挖孔，還與所述柵極連接；

第二電極塊，鍍在所述第二挖孔，還與所述第一CK信號走線連接；

第三電極塊，鍍在所述第三挖孔，還與所述第三CK信號走線連接；

所述第一電極塊、第二電極塊、第三電極塊與所述畫素電極的材料相同；

有源層，鍍在柵極絕緣層的上表面，還位于所述柵極的正上方；

第二金屬層，鍍在所述柵絕緣層的上表面，形成了間隔分布的源極、漏極與第一信號連接線，所述源極與所述有源層的左端連接，所述漏極與所述有源層的右端連接，所述漏極還與所述畫素電極連接，所述第一信號連接線的右端與所述第一電極塊連接，所述第一信號連接線的左端與所述第二電極塊連接；

鈍化層，鍍在所述柵絕緣層、有源層、第二金屬層、畫素電極的上表面，所述鈍化層開設有第四挖孔，所述第三電極塊露出于所述第四挖孔；

導電層，鍍在所述鈍化層的上表面，還位于所述漏極的正上方，所述鈍化層的上表面還鍍有第二信號連接線，所述導電層與所述第二信號連接線的右端連接，所述第二信號連接線的左端穿過所述第四挖孔與所述第三電極塊連接；

遮光金屬層，鍍在所述鈍化層的上表面，還位于所述有源層的溝道正上方，所述遮光金屬層與所述導電層、第二信號連接線間隔設置；

所述遮光金屬層、導電層、第二信號連接線與所述第一金屬層的材料相同。

2.根據權利要求1所述的一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，還包括：

所述第二金屬層還形成了間隔分布的TP走線；

外絕緣層，鍍在所述導電層、遮光金屬層、鈍化層的上表面，所述外絕緣層開設有第五挖孔，所述第五挖孔穿透所述鈍化層，所述TP走線露出于所述第五挖孔；

公共電極，鍍在所述外絕緣層的上表面，所述公共電極還穿過所述第五挖孔與所述TP走線連接。

3.根據權利要求2所述的一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層、第二金屬層、導電層、第二信號連接線、遮光金屬層都是Ti/AL/Ti三層結構或者MO/AL/MO三層結構。

4.根據權利要求2所述的一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層是SiOx單層結構或者SiNx/SiOx雙層結構，所述鈍化層是SiO₂材質，所述外絕緣層是SiOx或者SiNO或者SiNx材質。

5.根據權利要求2所述的一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，所述有源層是IGZO材質，所述畫素電極、第一電極塊、第二電極塊、第三電極塊與公共電極都是ITO材質。

6.根據權利要求1所述的一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層還形成了間隔分布的第二CK信號走線與第四CK信號走線，所述第二CK信號走線的電位高低與所述第四CK信號走線的電位高低相反；

所述第一CK信號走線是與第一行的陣列基板的柵極連接，所述第二CK信號走線是與第二行的陣列基板的柵極連接，所述第三CK信號走線是與第一行的陣列基板的導電層連接，所述第四CK信號走線是與第二行的陣列基板的導電層連接。

7.根據權利要求6所述的一種減小寄生電容couple影響的陣列基板，其特征在于，所述第一CK信號走線的信號時序相位比所述第二CK信號走線的信號時序相位提早四分之一周期，所述第三CK信號走線的信號時序相位比所述第四CK信號走線的信號時序相位提早四分之一周期。