[實用新型]半導體結構及其加工裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202320111712.5
• 申請日: 2023-01-18
• 公開（公告）號: CN219370976U
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 寇崇善;葉文勇
• 申請（專利權）人: 日揚科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/263;H01L21/268
• 代理公司: 北京成越律師事務所 16070
• 代理人: 蔡艷園

本實用新型涉及一種半導體結構及其加工裝置。此半導體結構的加工裝置包含載臺與改質能量源。載臺承載具有晶格結構之半導體結構。改質能量源提供一非均勻改質能量分布陣列于半導體結構之加工目標區(qū)上，使其形成非均勻改質區(qū)。在非均勻改質區(qū)中，加工目標區(qū)與晶格結構之至少一天然解理面(natural?cleavage?plane)相交之重疊區(qū)段(overlapped?section)相較于重疊區(qū)段以外之區(qū)域具有較低之改質程度(modification?degree)，以減少半導體結構產生由重疊區(qū)段沿著天然解理面延伸之側向裂隙。

技術領域

本實用新型是有關于一種加工裝置及其加工物，特別是有關于一種半導體結構及其加工裝置。

背景技術

近年來，由于半導體技術不斷地蓬勃發(fā)展，使得科技類產品得以大步躍進。在半導體制程中，常使用加工元件對晶圓等材料進行切割、研磨或拋光等加工程序。半導體結構具有寬能帶隙性質、高硬度、高導熱率以及化學惰性性質等優(yōu)點，因此是制備高溫電子元件、高頻大功率元件更為理想的材料。然而半導體材料的高硬度及天然解理面特性，卻不易于切片、研磨或拋光等加工程序的進行。因為半導體材料具有晶格結構，在進行切片、研磨或拋光等加工程序時，容易沿著天然解理面延伸生成側向裂隙，進而產生非預期之裂隙、碎裂或其他質量問題。因此，如何透過改質來提升半導體材料的加工質量，實屬當前重要研發(fā)課題之一。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型之一或多個目的就是在提供一種半導體結構及其加工裝置，以解決上述習知技藝之問題。

為達前述目的，本實用新型提出一種半導體結構的加工裝置，用以進行一加工程序，至少包含：一載臺，用以承載一半導體結構，該半導體結構具有一晶格結構(latticestructure)，該半導體結構定義有一加工目標區(qū)；以及一改質能量源，用以在該加工程序之一非均勻改質(non-uniform?modification)步驟中，提供一非均勻改質能量分布陣列于該載臺上之該半導體結構之該加工目標區(qū)上，使得該半導體結構之該加工目標區(qū)形成一非均勻改質區(qū)，其中在該非均勻改質區(qū)中，該加工目標區(qū)與該晶格結構之至少一天然解理面(natural?cleavage?plane)相交之一重疊區(qū)段(overlapped?section)相較于該重疊區(qū)段以外之一區(qū)域具有一較低之改質程度(modification?degree)，以減少該半導體結構產生由該重疊區(qū)段沿著該天然解理面延伸之側向裂隙。

其中，在單位面積之該非均勻改質能量分布陣列中，該改質能量源提供于該加工目標區(qū)與該天然解理面之該重疊區(qū)段上之一第一改質能量值低于該改質能量源提供于該加工目標區(qū)上該重疊區(qū)段以外之該區(qū)域之一第二改質能量值，以及/或者該改質能量源提供于該加工目標區(qū)與該天然解理面之該重疊區(qū)段上之一第一改質能量聚焦點數量低于該改質能量源提供于該加工目標區(qū)上之該重疊區(qū)段以外之該區(qū)域之一第二改質能量聚焦點數量。

其中，該改質能量源沿一調控路徑使得該加工目標區(qū)之該重疊區(qū)段以外之該區(qū)域相較于該重疊區(qū)段具有一較高之改質程度，其中該調控路徑與該重疊區(qū)段之間呈一夾角。

其中，該半導體結構之該加工目標區(qū)中之一位置之改質程度正相關于該位置與該重疊區(qū)段之間之距離。

其中，該改質能量源選自于由一雷射源、一微波源及一射頻源所組成之族群。

其中，本實用新型之半導體結構的加工裝置還包括一分離能量源，用以在該加工程序之一分離步驟中施加一分離能量于該半導體結構之該加工目標區(qū)上，藉以從該非均勻改質區(qū)分離該載臺上之該半導體結構。

其中，該半導體結構為一晶圓或一晶錠。

其中，該半導體結構為一絕緣層上半導體(SOI)結構之一晶圓。

其中，該改質能量源于該晶圓之一深度形成該非均勻改質區(qū)。

其中，該半導體結構之該加工目標區(qū)為一預定分離面(defined?separationsurface)。