[實用新型]一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板

有效

• 申請號: 202320103879.7
• 申請日: 2023-02-03
• 公開（公告）號: CN219226276U
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 周友軍;陶天宇;劉瑩;吳道勛;黃爾書;江樹昌;林逢佺
• 申請（專利權）人: 中民（福建）電子制造有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/14;H01L23/38;H01L23/427;H01L23/467
• 代理公司: 福州市鼓樓區年盛知識產權代理事務所(普通合伙) 35254
• 代理人: 謝名海

1.一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，包括基板本體(1)，其特征在于，所述基板本體(1)的上部設置有鋁合金層(101)，所述鋁合金層(101)的上表面固定連接有散熱底部(302)，所述散熱底部(302)的上部固定連接有散熱尖部(301)，所述散熱底部(302)的內部設置有吸熱液體(3021)，所述基板本體(1)的兩側面設置有半導體制冷片(2)，所述半導體制冷片(2)的側面設置有散熱槽(201)。

2.根據權利要求1所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述散熱尖部(301)和散熱底部(302)相連通。

3.根據權利要求2所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述吸熱液體(3021)為散熱底部(302)容積的1/3。

4.根據權利要求3所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述散熱尖部(301)剖面的形狀為梯形。

5.根據權利要求4所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述散熱尖部(301)和散熱底部(302)的數量有六個，且為對稱設置。

6.根據權利要求5所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述散熱槽(201)的長度與半導體制冷片(2)的長度相同。

7.根據權利要求6所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述散熱槽(201)剖面的形狀為圓弧形。

8.根據權利要求7所述的一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，其特征在于，所述鋁合金層(101)的上表面為圓弧狀。