[實用新型]一種高壓過載的差壓變送器

有效

• 申請號: 202320026281.2
• 申請日: 2023-01-05
• 公開（公告）號: CN219369010U
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 馬軍剛;羅超;趙偉;何星星;葉斌
• 申請（專利權）人: 西安中星測控有限公司
• 主分類號: G01L13/06
• 分類號: G01L13/06;G01L19/00
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 王杰

本實用新型公開了一種高壓過載的差壓變送器，主要內容為：包括差壓芯體和壓力調理單元，所述差壓芯體與壓力調理單元連接，差壓芯體采用陶瓷芯體，壓力調理單元由ADC模塊、MCU模塊、DAC模塊、放大器和電源模塊組成，ADC模塊與MCU模塊連接，MCU模塊與DAC模塊連接，DAC模塊與放大器連接，電源模塊分別與ADC模塊、MCU模塊和DAC模塊連接，壓力調理單元采用納芯微NSA2860壓力調理芯片。本實用新型具有過載壓力大、抗腐蝕性強和介質兼容性好等優點，大幅減少了電路器件的數量，提高了其使用壽命。

技術領域

本實用新型涉及變送器技術領域，具體地說，特別涉及一種高壓過載的差壓變送器。

背景技術

差壓變送器主要是測量介質中的兩個壓力值，通過兩個取壓點的壓力差值計算介質中壓力、液位、體積、流量等。廣泛用于能源、化工、電廠等工業控制領域。差壓變送器長期在高溫、低溫、腐蝕、振動、沖擊等惡劣環境中使用，因此對變送器的長期穩定性、可靠性等有很高的要求。由于我國工業基礎現對較為落后，這種差壓變送器被國外一些大公司壟斷。目前，國產的差壓變送器與發達國家相比，差距還是比較大，不管是使用場景受限、成本等都處于劣勢。國內傳統的差壓變送器采用擴散硅壓阻式壓力敏感芯體，由于擴散硅芯體存在以下幾個短板。因此，制約著國產差壓變送器的大批量應用。

(1)負壓端過載壓力小。一般正向壓力過載最大2倍滿量程，而負向壓力過載最大只有1倍的滿量程；

(2)擴散硅壓力芯體不能測強腐蝕性，有顆粒物介質，高粘稠介質等；

(3)成本高。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，公開了一種高壓過載的差壓變送器，其具有過載壓力大、抗腐蝕性強和介質兼容性好等優點，大幅減少了電路器件的數量，提高了其使用壽命。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種高壓過載的差壓變送器，包括差壓芯體和壓力調理單元，所述差壓芯體與壓力調理單元連接，所述差壓芯體采用陶瓷芯體，所述壓力調理單元由ADC模塊、MCU模塊、DAC模塊、放大器和電源模塊組成，所述ADC模塊與MCU模塊連接，所述MCU模塊與DAC模塊連接，所述DAC模塊與放大器連接，所述電源模塊分別與ADC模塊、MCU模塊和DAC模塊連接，所述壓力調理單元采用納芯微NSA2860壓力調理芯片。

作為本實用新型的一種優選實施方式，還包括電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R8、電容C1、電容C2、電容C4、電容C5、電容C6、電容C8、電容C9、電容C10、三極管Q1和三極管Q2，所述NSA2860壓力調理芯片引腳1和電阻R6左端都與三極管Q1的引腳1連接，所述三極管Q1的引腳3和NSA2860壓力調理芯片引腳2都與電容C8上端連接，所述電容C8下端、差壓芯體的引腳IN-、電容C5下端、電容C10下端、電容C4下端、NSA2860壓力調理芯片引腳4、NSA2860壓力調理芯片引腳9、NSA2860壓力調理芯片引腳12、電容C1右端、電阻R5下端和電阻R8左端都接地，所述差壓芯體的引腳IN+和電容C4上端都與NSA2860壓力調理芯片引腳7連接，所述差壓芯體的引腳OUT+與電阻R4左端連接，所述電阻R4右端、電容C9上端和電容C5上端都與NSA2860壓力調理芯片引腳5連接，所述差壓芯體的引腳OUT-與電阻R3左端連接，所述電阻R3、電容C9下端和電容C10上端都與NSA2860壓力調理芯片引腳6連接，所述三極管Q1的引腳2和電阻R6右端都與三極管Q2的引腳2連接，所述電容C2左端與NSA2860壓力調理芯片引腳15連接，所述電容C2右端接地，所述NSA2860壓力調理芯片引腳13與電阻R2左端連接，所述電阻R2右端和電容C6上端都與三極管Q2的引腳1連接，所述NSA2860壓力調理芯片引腳11與電容C1左端連接，所述電容C6下端和電阻R5上端都與三極管Q2的引腳3連接，所述電阻R8右端與NSA2860壓力調理芯片引腳10連接。

作為本實用新型的一種優選實施方式，所述差壓芯體采用ME800陶瓷芯體。