[發(fā)明專利]一種高溫老化測(cè)試插座及其循環(huán)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310961736.4
• 申請(qǐng)日: 2023-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN116660733B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金永斌;王強(qiáng);賀濤;丁寧;朱偉;章圣達(dá);陳偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 法特迪精密科技（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;G01R1/04
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• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及芯片高溫老化測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高溫老化測(cè)試插座及其循環(huán)結(jié)構(gòu)，通過在芯片壓塊的底部設(shè)置接觸罩，所述接觸罩的底部為用于與芯片上表面接觸的平面，接觸罩與芯片壓塊的底面間留有間隙，該間隙內(nèi)填充有導(dǎo)熱油，在對(duì)芯片進(jìn)行裝載后，芯片壓塊的底部與芯片上表面共同對(duì)接觸罩?jǐn)D壓，接觸罩內(nèi)部的導(dǎo)熱油向外側(cè)流動(dòng)至緩沖腔，使接觸罩發(fā)生縱向形變，在將不同封裝的芯片進(jìn)行老化測(cè)試時(shí)，接觸罩能夠通過不同程度的發(fā)生形變，對(duì)不同封裝的芯片進(jìn)行適應(yīng)，在不需要改變芯片壓塊限定位置的前提下，能夠通過接觸罩的變形，對(duì)不同封裝芯片的高度在接觸罩變形范圍內(nèi)進(jìn)行適應(yīng)，提高了測(cè)試插座對(duì)不同封裝的芯片適應(yīng)性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片高溫老化測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高溫老化測(cè)試插座及其循環(huán)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

集成電路高溫老化測(cè)試HTSL是消費(fèi)電子、車規(guī)級(jí)封裝、軍用品等器件不可缺少的測(cè)試環(huán)節(jié)。芯片的高溫老化測(cè)試，是將芯片加熱至其工作溫度，或高于工作溫度的狀態(tài)下，測(cè)試芯片的耐受性和可靠性，從而在早期發(fā)現(xiàn)芯片的故障，對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量的監(jiān)督、高質(zhì)量芯片的篩選等具有重要意義。

常見的高溫老化測(cè)試設(shè)備有老化爐、測(cè)試插座和測(cè)試板，其中測(cè)試插座是一種常用的芯片高溫老化測(cè)試工具，具有體積小、可移動(dòng)、安裝及配套設(shè)施要求低等優(yōu)點(diǎn)。

現(xiàn)有的測(cè)試插座主要包括：上蓋、轉(zhuǎn)環(huán)、底座和芯片壓塊，上蓋與底座的一側(cè)鉸接連接，轉(zhuǎn)環(huán)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在上蓋上，底座用于裝載芯片，而芯片壓塊內(nèi)部設(shè)置有用于升溫的加熱棒，芯片壓塊通過其底部與芯片上表面接觸，對(duì)芯片進(jìn)行加熱測(cè)試。

但是，在實(shí)際使用中，現(xiàn)有的測(cè)試插座仍存在以下不足：

第一，在對(duì)芯片進(jìn)行裝載時(shí)是通過轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)環(huán)使芯片壓塊升降，從而使芯片壓塊的下表面與芯片貼合；而現(xiàn)有的芯片由于封裝不同，芯片壓塊需要下降的高度也不相同，即轉(zhuǎn)環(huán)需要轉(zhuǎn)動(dòng)的角度不同，導(dǎo)致現(xiàn)有的測(cè)試插座對(duì)不同封裝的芯片適應(yīng)性差；

第二，在進(jìn)行溫度循環(huán)老化測(cè)試時(shí)，需要對(duì)芯片進(jìn)行加熱、散熱的循環(huán)操作，使芯片的溫度在高溫-常溫-高溫之間循環(huán)，但是，一個(gè)循環(huán)周期的時(shí)間較長(zhǎng)，導(dǎo)致在進(jìn)行溫度循環(huán)老化測(cè)試時(shí)的效率低。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有的測(cè)試插座對(duì)不同封裝芯片適應(yīng)性差以及溫度循環(huán)老化測(cè)試效率低的技術(shù)不足，本發(fā)明提供了一種高溫老化測(cè)試插座及其循環(huán)結(jié)構(gòu)和測(cè)試方法，能夠?qū)崿F(xiàn)快速方便的調(diào)節(jié)，并能夠適應(yīng)更多封裝的芯片，提高溫度循環(huán)老化測(cè)試效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種高溫老化測(cè)試插座，包括：芯片壓塊和轉(zhuǎn)把，所述芯片壓塊用于對(duì)芯片加熱進(jìn)行老化測(cè)試，所述的轉(zhuǎn)把能夠通過轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片壓塊上下移動(dòng)，轉(zhuǎn)把用于移動(dòng)芯片壓塊直至芯片壓塊下端與芯片上表面貼合，所述芯片壓塊的底部設(shè)置有接觸罩，接觸罩套設(shè)在芯片壓塊的下端，所述接觸罩的底部為用于與芯片上表面接觸的平面，接觸罩的開口固定連接在芯片壓塊底部的側(cè)邊上，且接觸罩與芯片壓塊底部的側(cè)邊構(gòu)成一緩沖腔，接觸罩與芯片壓塊的底面間留有間隙，該間隙內(nèi)填充有導(dǎo)熱油，所述接觸罩與芯片壓塊的底面間設(shè)置有支撐條，所述轉(zhuǎn)把的轉(zhuǎn)動(dòng)路徑上設(shè)置有若干個(gè)間隔設(shè)置的固定孔，若干個(gè)固定孔均設(shè)置在一虛擬圓上，該虛擬圓與轉(zhuǎn)把同心，固定孔內(nèi)設(shè)置有用于限制轉(zhuǎn)把最大轉(zhuǎn)動(dòng)角度的柱銷，所述接觸罩隨芯片壓塊向下移動(dòng)并與芯片表面接觸后，接觸罩能夠產(chǎn)生形變對(duì)芯片的高度進(jìn)行適應(yīng)，所述固定孔的間距與接觸罩能夠產(chǎn)生的最大形變對(duì)應(yīng)設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述支撐條的下端與接觸罩固定連接，支撐條的上端與芯片壓塊的底部固定連接，所述支撐條的上端朝向芯片壓塊的中間位置傾斜設(shè)置，且從芯片壓塊的中間位置向外方向上的若干個(gè)支撐條傾斜的角度依次增加。

進(jìn)一步地，所述芯片壓塊的底部設(shè)置有插槽，插槽包括：插孔、容納槽和支撐邊，所述的插孔與支撐條的上端固定連接，所述插孔的側(cè)面設(shè)置有容納槽，所述的容納槽為喇叭口狀的槽口，該槽口的下沿為支撐邊，支撐邊用于對(duì)支撐條的下側(cè)進(jìn)行支撐。