[發明專利]皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝及裝置

在審

• 申請號: 202310927158.2
• 申請日: 2023-07-27
• 公開（公告）號: CN116654865A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 黃哲;李君實;黃東
• 申請（專利權）人: 北京析芒醫療科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B33Y10/00;B33Y80/00;A61B5/293;A61B5/369
• 代理公司: 北京力致專利代理事務所(特殊普通合伙) 11900
• 代理人: 朱靜謙

1.一種皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、襯底基板制造：通過機械加工、激光切割、鑄造、注塑中的一種或幾種工藝制造襯底基板，所述襯底基板上具有通孔陣列；

S2、加工電極互聯結構：在S1制造的襯底基板上圍繞其通孔加工電極互聯結構以形成電極互聯結構陣列，電極互聯結構包括設于襯底基板上表面的上表面導電件、設于通孔內的中間導電件以及設于襯底基板下表面的下表面導電件，上表面導電件、中間導電件和下表面導電件電連接；

S3、微針電極陣列增材制造：通過增材制造技術在襯底基板的上表面自下而上構建多個絕緣微針電極基體并形成陣列；

S4、微針電極陣列導電層鍍膜：對S3制造的絕緣微針電極基體的外表進行導電層鍍膜，導電層自上而下至少覆蓋絕緣微針電極基體的根部以使微針電極與S2的上表面導電件電學導通；

S5、絕緣層淀積與刻蝕：在步驟S2和S4中得到的導電層外層進行絕緣層沉積，并蝕刻微針電極尖端絕緣層。

2.根據權利要求1所述的皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，所述步驟S2包括：

S21、制作上表面導電件：通過在襯底基板上表面淀積導電薄層以形成作為上表面導電件的上表面導電盤；

S22、制作下表面導電件：通過在襯底基板下表面淀積導電薄層以形成作為下表面導電件的下表面導電盤；

S23、制作中間導電件：將上導電盤和下導電盤的導電薄層向通孔內部延伸并實現孔內電學導通，使通孔變成作為中間導電件的導電孔。

3.根據權利要求2所述的皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，

在步驟S21中，將具有第一孔陣列的第一掩膜板覆蓋在襯底基板的上表面，第一掩膜板的第一孔至少將絕緣微針基體的根部和上表面導電盤所在區域露出，采用真空鍍膜工藝，在第一掩膜板未遮擋部分淀積導電薄層；完成鍍膜后撤去第一掩膜板，形成上表面導電盤；

和/或，在步驟S22中，具有第二孔陣列的第二掩膜板覆蓋在襯底基板的下表面，第二掩膜板的第二孔至少將下表面導電盤所在區域露出，采用真空鍍膜工藝，在第二掩膜板未遮擋部分淀積導電薄層；完成鍍膜后撤去第二掩膜板，形成下表面導電盤；

和/或，在步驟S23中，通過電鍍工藝將上導電盤和下導電盤的導電薄層向通孔內部延伸并填滿通孔使導電孔成為實心孔。

4.根據權利要求3所述的皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，

在步驟S21中，當第一掩膜板覆蓋在襯底基板的上表面時，第一掩膜板的第一孔將絕緣微針基體的根部、上表面導電盤所在區域以及通孔所在區域露出；

和/或，在步驟S22中，當第二掩膜板覆蓋在襯底基板的下表面時，第二掩膜板的第二孔將下表面導電盤所在區域和通孔所在區域露出。

5.根據權利要求1所述的皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，在步驟S3中，采用的增材制造技術為高精度3D打印技術。

6.根據權利要求1所述的皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，在步驟S4中，將具有第三孔陣列的第三掩膜板嵌套覆蓋在襯底基板的上表面，第三孔至少將絕緣微針電極基體的根部露出，采用真空鍍膜工藝，在第三掩膜板未遮擋部分淀積導電薄層，以使導電薄層與S2的上表面導電件電學導通；完成鍍膜后撤去第三掩膜板。

7.根據權利要求6所述的皮層內植入式微針電極陣列裝置的生產工藝，其特征在于，在步驟S4中，第三孔將絕緣微針電極基體的根部、上表面導電件所在區域以及中間導電件所在區域露出。