[發(fā)明專利]一種微波器件及一種微波設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310907006.6
• 申請日: 2023-07-24
• 公開（公告）號: CN116666931B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設計）人: 黃茜;陳昌伍;周福全;李建新;林兵;陳景雪;高洋;伍曉榮
• 申請（專利權）人: 成都邁可維微波電子有限公司
• 主分類號: H01P1/36
• 分類號: H01P1/36;H01P1/38;H01P11/00
• 代理公司: 成都擎智秉業(yè)專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 王睿

1.一種微波器件，包括：

環(huán)行器/隔離器部分，包含：

基板，具有基體材料以及嵌合在該基體材料的板孔中的鐵氧體；

載板，設置在所述基板的下表面上；

環(huán)行器/隔離器電路，設置在所述基板上表面上并位于對應鐵氧體上方；

電阻片，設置在對應環(huán)行器/隔離器電路上表面；

永磁體，設置在對應陶瓷片的上表面；

其特征在于：

還包括：

信號調(diào)整部分，包含：

信號調(diào)整電路，設置在所述基板上表面上并位于所述基體材料上方，且與所述環(huán)行器/隔離器電路級聯(lián)在一起；

其中，所述環(huán)行器/隔離器電路與所述信號調(diào)整電路是在所述基板上表面一體加工成型的。

2.如權利要求1所述的一種微波器件，其特征在于：所述環(huán)行器/隔離器電路和所述信號調(diào)整電路構成薄膜電路；該薄膜電路中，所述環(huán)行器/隔離器電路與所述信號調(diào)整電路之間的連接部位與所述環(huán)行器/隔離器電路以及所述信號調(diào)整電路是一體的且不存在專門級聯(lián)匹配電路的薄膜電路。

3.如權利要求2所述的一種微波器件，其特征在于：所述環(huán)行器/隔離器電路與所述信號調(diào)整電路之間的連接部位的線路寬度無突變。

4.如權利要求3所述的一種微波器件，其特征在于：所述環(huán)行器/隔離器電路與所述信號調(diào)整電路之間的連接部位由阻抗為50歐姆的連接線構成。

5.如權利要求2所述的一種微波器件，其特征在于：所述薄膜電路經(jīng)由兩次高頻電磁仿真設計而成，第一次高頻電磁仿真設計時分別對所述環(huán)行器/隔離器電路和所述信號調(diào)整電路進行高頻電磁仿真設計，第二次高頻電磁仿真設計時對由所述環(huán)行器/隔離器電路與所述信號調(diào)整電路組成的整體電路進行高頻電磁仿真設計。

6.如權利要求1所述的一種微波器件，其特征在于：所述信號調(diào)整電路包含功率合成電路、功分電路、濾波電路、信號耦合電路中的至少一種；

并且，當所述信號調(diào)整電路包含分別與所述環(huán)行器/隔離器部分連接的至少兩個輸入端或至少兩個輸出端時，所述環(huán)行器/隔離器部分具有與所述至少兩個輸入端或所述至少兩個輸出端一一對應的一組環(huán)行器/隔離器；

所述一組環(huán)行器/隔離器包含間隔排列在所述基體材料上的一組所述板孔以及與這一組板孔一一對應設置的一組所述鐵氧體、一組所述環(huán)行器/隔離器電路、一組所述電阻片以及一組所述永磁體。

7.如權利要求6所述的一種微波器件，其特征在于：所述信號調(diào)整電路為一個M路功率合成電路，其中M為≥3或4的整數(shù)。

8.如權利要求1所述的一種微波器件，其特征在于：所述基體材料由氧化鋁陶瓷制成；并且/或者，所述載板為鐵板；并且/或者，所述電阻片由氧化鋁陶瓷制成；并且/或者，所述載板的下表面設有金屬鍍層，所述載板設置在所述金屬鍍層的下表面上。

9.如權利要求1所述的一種微波器件，其特征在于：所述基板上位于所述環(huán)行器/隔離器電路以及所述信號調(diào)整電路的旁側開設有通孔，使用時所述通孔中用于嵌合安裝鋁柱。

10.一種微波設備，其特征在于：其采用了如權利要求1-9中任意一項權利要求所述的一種微波器件。