[發(fā)明專利]揚(yáng)聲器模組及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310905351.6
• 申請(qǐng)日: 2023-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN116647800A
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張羽;王傳果;李運(yùn)海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 榮耀終端有限公司
• 主分類號(hào): H04R9/06
• 分類號(hào): H04R9/06;H04R9/02
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 張志江

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種揚(yáng)聲器模組及電子設(shè)備，其中，揚(yáng)聲器模組包括外殼、揚(yáng)聲器內(nèi)核、聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)以及阻尼層，外殼具有容置腔，揚(yáng)聲器內(nèi)核將至少部分容置腔分隔為前腔和后腔，后腔的外殼上開設(shè)有通孔，聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)包括：第一環(huán)狀體和第二環(huán)狀體，第一環(huán)狀體具有第一側(cè)以及遠(yuǎn)離第一側(cè)的第二側(cè)，第一環(huán)狀體的厚度從第二側(cè)向第一側(cè)以指數(shù)函數(shù)形式遞增，第二環(huán)狀體與第二側(cè)相連，第二環(huán)狀體的厚度等于第一環(huán)狀體的最小厚度，第一側(cè)或第二側(cè)與后腔的外殼相連，阻尼層設(shè)置在聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離第一側(cè)的一側(cè)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器模組及電子設(shè)備，可有效改善電子設(shè)備的殼體振動(dòng)問題，以提高消費(fèi)者的使用體驗(yàn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種揚(yáng)聲器模組及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著科技的快速發(fā)展，電子設(shè)備已基本普及到人們的生活中。尤其是便攜式電子設(shè)備，例如，筆記本電腦、平板電腦、手機(jī)等。在這些電子設(shè)備中，為了使其具有音頻播放功能，會(huì)設(shè)置有揚(yáng)聲器模組，揚(yáng)聲器模組中含有揚(yáng)聲器內(nèi)核，揚(yáng)聲器內(nèi)核是一種把電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)槁曅盘?hào)的換能器件，音頻電能通過電磁、壓電或靜電反應(yīng)，使揚(yáng)聲器內(nèi)核中的音盆或膜片振動(dòng)并與周圍的空氣產(chǎn)生共振而發(fā)出聲音。

常用的揚(yáng)聲器模組，其內(nèi)部后腔一般為密閉空間。根據(jù)揚(yáng)聲器模組腔體設(shè)計(jì)原理可知，后腔體積對(duì)揚(yáng)聲器模組的低頻影響較大。當(dāng)后腔體積增大時(shí)，低頻諧振頻率也會(huì)隨之降低，低頻性能提升明顯。根據(jù)以上原理，后腔體積應(yīng)該盡可能地增大，可以最高程度的發(fā)揮揚(yáng)聲器模組的低頻水平。因此，開放式后腔應(yīng)運(yùn)而生。開放式后腔是指，取消揚(yáng)聲器模組的后腔，如此相當(dāng)于揚(yáng)聲器模組的后腔即為整個(gè)電子設(shè)備的內(nèi)部空間，使得后腔體積極大提高，從而提升揚(yáng)聲器模組的低頻性能。

但是，揚(yáng)聲器模組無后腔會(huì)使得揚(yáng)聲器內(nèi)核與周圍空氣產(chǎn)生共振的能量傳遞到電子設(shè)備的殼體，導(dǎo)致比較嚴(yán)重的電子設(shè)備殼體振動(dòng)問題，極大地影響消費(fèi)者的體驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種揚(yáng)聲器模組及電子設(shè)備，可有效改善電子設(shè)備的殼體振動(dòng)的影響，提高消費(fèi)者的使用體驗(yàn)。

本申請(qǐng)實(shí)施例一方面提供一種揚(yáng)聲器模組，包括：外殼、揚(yáng)聲器內(nèi)核、聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)以及阻尼層，所述外殼具有容置腔，所述揚(yáng)聲器內(nèi)核設(shè)置在所述容置腔內(nèi)，所述外殼上開設(shè)有出聲通道，所述出聲通道連通所述容置腔與外界，所述揚(yáng)聲器內(nèi)核將至少部分所述容置腔分隔為前腔和后腔，所述后腔的所述外殼上開設(shè)有通孔，所述聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)包括：第一環(huán)狀體和第二環(huán)狀體，所述第一環(huán)狀體具有第一側(cè)以及遠(yuǎn)離所述第一側(cè)的第二側(cè)，所述第一環(huán)狀體的厚度從所述第二側(cè)向所述第一側(cè)以指數(shù)函數(shù)形式遞增，所述第二環(huán)狀體與所述第二側(cè)相連，所述第二環(huán)狀體的厚度等于所述第一環(huán)狀體的最小厚度，所述第一側(cè)或所述第二側(cè)與所述后腔的所述外殼相連，所述阻尼層設(shè)置在所述聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一側(cè)的一側(cè)。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器模組，通過在后腔的外殼上開設(shè)有通孔，當(dāng)揚(yáng)聲器模組裝配在電子設(shè)備中時(shí)，揚(yáng)聲器模組的后腔能與電子設(shè)備的內(nèi)部空間連通，可最高程度地發(fā)揮揚(yáng)聲器模組的低頻水平。并且，在揚(yáng)聲器模組的后腔的外殼上設(shè)置有聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)，聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)包括第一環(huán)狀體和第二環(huán)狀體，第一環(huán)狀體的厚度從第二側(cè)向第一側(cè)以指數(shù)函數(shù)形式遞增，第二環(huán)狀體與第一環(huán)狀體的第二側(cè)相連，第二環(huán)狀體的厚度等于第一環(huán)狀體的最小厚度，并在聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離第一側(cè)的一側(cè)設(shè)置有阻尼層，當(dāng)揚(yáng)聲器模組中的揚(yáng)聲器內(nèi)核產(chǎn)生的能量波傳遞到聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)時(shí)，能量波的傳播速度會(huì)隨著第一環(huán)狀體的厚度的減小而減小，波長(zhǎng)減小，波的振動(dòng)幅度增加并向厚度變小的區(qū)域聚集，到達(dá)第二環(huán)狀體時(shí)，阻尼層能大幅度減小能量波的反射系數(shù)，并耗散聚集在此處的波動(dòng)能量，實(shí)現(xiàn)良好的振動(dòng)抑制效果，從而有效改善電子設(shè)備的殼體振動(dòng)問題，以提高消費(fèi)者的使用體驗(yàn)。

在一種可能的實(shí)施方式中，所述聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)中的至少部分所述聲學(xué)黑洞減振結(jié)構(gòu)還包括：柱體，所述第一側(cè)與所述柱體的外側(cè)面相連，所述柱體在軸向上的一端與所述后腔的所述外殼相連。