[發(fā)明專(zhuān)利]IGBT功率模塊壽命預(yù)測(cè)方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310854021.9
• 申請(qǐng)日: 2023-07-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116579189B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊鑫;趙詩(shī)涵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 湖南大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G06F30/20
• 分類(lèi)號(hào): G06F30/20;G06F119/02;G06F119/04
• 代理公司: 長(zhǎng)沙正奇專(zhuān)利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 王娟;劉冬

1.一種IGBT功率模塊壽命預(yù)測(cè)方法，所述IGBT功率模塊具有IGBT芯片、芯片焊料層，其特征在于：利用下式計(jì)算待測(cè)IGBT功率模塊的壽命Nf：

；

其中，ΔT_j=Tj(max)-Tj(min)；Tjm=[Tj(max)+Tj(min)]/2；Tj(max)、Tj(min)分別對(duì)應(yīng)為一個(gè)功率循環(huán)周期內(nèi)待測(cè)IGBT模塊中IGBT芯片結(jié)溫最大值、IGBT芯片結(jié)溫最小值；熱阻偏差△R_ths=(R_ths,v-R_ths)/R_ths；R_ths,v為所述待測(cè)IGBT功率模塊的芯片焊料層的熱阻，R_ths為理想IGBT功率模塊的芯片焊料層的熱阻，所述理想IGBT功率模塊的芯片焊料層為無(wú)初始空洞的芯片焊料層；a、b分別對(duì)應(yīng)為第一預(yù)設(shè)參數(shù)、第二預(yù)設(shè)參數(shù)；

所述待測(cè)IGBT功率模塊、所述理想IGBT功率模塊具有相同的形狀和尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT功率模塊壽命預(yù)測(cè)方法，其特征在于：第一預(yù)設(shè)參數(shù)a、第二預(yù)設(shè)參數(shù)b根據(jù)實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊的芯片焊料層的熱阻、所述實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊的壽命擬合得到，或者第一預(yù)設(shè)參數(shù)a、第二預(yù)設(shè)參數(shù)b根據(jù)實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊的芯片焊料層的熱阻、所述實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊的壽命、一個(gè)功率循環(huán)周期內(nèi)實(shí)驗(yàn)用IGBT模塊中IGBT芯片結(jié)溫最大值和最小值之間的差值、一個(gè)功率循環(huán)周期內(nèi)實(shí)驗(yàn)用IGBT模塊中IGBT芯片結(jié)溫最大值和最小值之和的一半擬合得到；

實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊的個(gè)數(shù)為K，K≥3，每個(gè)實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊均具有初始空洞；

所述待測(cè)IGBT功率模塊、所述理想IGBT功率模塊、所述實(shí)驗(yàn)用IGBT功率模塊具有相同的形狀和尺寸。