[發明專利]一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法

在審

• 申請號: 202310748784.5
• 申請日: 2023-06-25
• 公開（公告）號: CN116581200A
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 宿世超;宮元波;胡海文;王偉;田宏波;李世嵐;鄒翔
• 申請（專利權）人: 國家電投集團新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0725;H01L31/0236
• 代理公司: 南昌大牛知識產權代理事務所(普通合伙) 36135
• 代理人: 李夢雅

1.一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

雙面制絨：將硅片正背面制絨；

沉積硼摻雜硅薄膜層：采用化學氣相沉積的方式在硅片的其中一面沉積一層硼摻雜硅薄膜層；

拋光處理：采用堿溶液將硅片未沉積硼摻雜硅薄膜層的硅片表面進行拋光處理，其中堿溶液中添加有拋光添加劑；

清洗處理：采用氫氟酸加氧化劑溶液對硅片進行清洗，氧化劑溶液將硼摻雜硅薄膜氧化成氧化硅，氫氟酸將氧化硅去除，以去除硼摻雜硅薄膜層；

鍍膜：對清洗后的硅片進行鍍膜，以得到鈣鈦礦底電池。

2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述鍍膜的步驟之后包括：

在得到的鈣鈦礦底電池拋光處理的一面制備頂電池，鈣鈦礦未拋光處理的一面進行金屬柵線印刷。

3.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述雙面制絨的步驟具體包括：

在槽式制絨設備將硅片雙面制絨，在硅片正背面形成金字塔絨面，硅片表面的反射率8％-20％。

4.根據權利要求1～3任一項所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述沉積硼摻雜硅薄膜層的步驟具體包括：

將雙面制絨的硅片置于真空設備中，將硅片的其中一面貼合在載盤上沉積一層硼摻雜硅薄膜層，其中硅薄膜可以是非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、多晶硅薄膜中的一種或多種的混合物，源氣體為硅烷、氫氣以及硼摻雜氣體的混合物，其中源氣體中含硼元素的氣體占總氣體比例的2％-10％。

5.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述硼摻雜硅薄膜層中的硼原子摻雜濃度為10E20cm^-3～10E22cm^-3，硼摻雜硅薄膜層厚度為10nm-100nm。

6.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述拋光處理的步驟具體包括：

在制絨設備中采用2％-20％的堿溶液將硅片未沉積硼摻雜硅薄膜層的一面進行刻蝕，其中堿溶液中添加了0.1％-3％的拋光添加劑，拋光添加劑用于提高刻蝕后的硅片表面拋光程度，使得硅片拋光面的反射率達到50％-70％，表面粗糙度為0.3um-1.2um；硼摻雜硅薄膜層用于阻礙硅片另一面被刻蝕。

7.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述清洗處理的步驟具體包括：

采用氫氟酸加氧化劑溶液去除硅片表面的硼摻雜硅薄膜層，其中氧化劑為臭氧水溶液或者雙氧水或者硝酸中的一種或多種混合物；

采用標準的RCA清洗流程對硼摻雜硅薄膜硅片表面進行清潔，去除包括有機物和金屬離子污染。

8.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦異質結疊層電池中底電池的制備方法，其特征在于，所述鍍膜的步驟具體包括：

將清洗處理后的硅片放置于PECVD設備中進行鍍膜，硅片拋光面沉積本征硅薄膜和磷摻雜硅薄膜；制絨面沉積本征硅薄膜和硼摻雜硅薄膜；

將鍍膜后的硅片放置于PVD設備中繼續進行鍍膜，拋光面沉積5nm-30nm的ITO薄膜；制絨面沉積50nm-200nm的ITO薄膜。