[發明專利]影像傳感器封裝結構及封裝方法在審
| 申請號: | 202310700402.1 | 申請日: | 2023-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN116564988A | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 王朝永 | 申請(專利權)人: | 業泓科技(成都)有限公司;業泓科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 張黎明 |
| 地址: | 610097 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 傳感器 封裝 結構 方法 | ||
1.一種影像傳感器封裝結構,其特征在于,包括:
基板,所述基板的兩側面分別為上表面與下表面,且所述上表面具有多個焊墊;
感測芯片,所述感測芯片的兩側面分別為頂面與底面,且所述底面與所述上表面相貼靠,所述頂面具有感測區、間隔區以及多個連接墊,所述感測區位于所述頂面一高度,所述間隔區圍繞所述感測區,且全部所述連接墊位于所述間隔區外;
多個金屬線,所述金屬線的兩端分別連接所述焊墊以及所述連接墊;
模封結構,為中空結構,所述模封結構具有承載層,所述承載層的兩側面分別為承載面與貼靠面,所述承載面與所述貼靠面相距一厚度,所述貼靠面與所述頂面相貼靠;
透光層,位于所述模封結構中,且貼靠所述承載面;
其中,所述模封結構設置于所述上表面上,同時包覆全部所述金屬線、全部所述焊墊、全部所述連接墊、所述間隔區外緣周圍以及所述感測芯片外緣周圍,且所述厚度大于所述高度,使所述透光層未與所述感測區相接觸。
2.根據權利要求1所述的影像傳感器封裝結構,其特征在于,所述模封結構內緣表面與所述感測芯片外緣周圍相貼靠,所述承載層自所述模封結構內緣表面延伸有一寬度,且所述寬度為所述模封結構內緣表面至所述感測區外緣周圍。
3.根據權利要求1所述的影像傳感器封裝結構,其特征在于,所述模封結構為熱固性封膠材料所制成,所述熱固性封膠材料由環氧樹脂、酚醛樹脂、觸媒、硅微粉組成。
4.根據權利要求1所述的影像傳感器封裝結構,其特征在于,所述感測芯片還具有保護層,所述保護層位于所述感測區外緣周圍,且延伸出所述頂面一長度,所述長度小于所述厚度。
5.根據權利要求4所述的影像傳感器封裝結構,其特征在于,所述保護層為聚合物或環氧樹脂所制成。
6.根據權利要求1所述的影像傳感器封裝結構,其特征在于,所述基板為球柵陣列封裝基板。
7.根據權利要求1所述的影像傳感器封裝結構,其特征在于,所述金屬線為弧形形狀,所述金屬線具有距所述頂面一距離的頂點,所述距離小于所述厚度。
8.一種影像傳感器封裝方法,其特征在于,包括有下列步驟:
步驟(a)、提供基板、感測芯片、多個金屬線以及透光層,所述基板一側面上具有多個焊墊,所述感測芯片一側面具有感測區、間隔區以及多個連接墊,所述間隔區圍繞所述感測區,且全部所述連接墊位于所述間隔區外;
步驟(b)、將所述感測芯片連接所述基板的所述側面上,使所述感測區位于所述感測芯片上一高度;
步驟(c)、將所述金屬線的兩端分別連接所述焊墊以及所述連接墊,且所述金屬線形成具有頂點的弧形形狀;
步驟(d)、形成模封結構于所述基板上,所述模封結構包覆全部所述金屬線、全部所述焊墊、全部所述連接墊、所述間隔區外緣周圍以及所述感測芯片外緣周圍;
步驟(e)、將所述透光層貼合在所述模封結構中。
9.根據權利要求8所述的影像傳感器封裝方法,其特征在于,所述步驟(b)之后還包括有下列步驟:
步驟(b1)、提供保護層,所述保護層位于所述感測區外緣周圍,且延伸出所述感測芯片上長度,所述長度大于所述高度。
10.根據權利要求9所述的影像傳感器封裝方法,其特征在于,所述步驟(c)之后還包括有下列步驟:
步驟(c1)、提供模具;
步驟(c2)、所述模具進行線性位移運動;
步驟(c3)、判斷所述模具是否貼靠所述保護層,當所述模具不是貼靠所述保護層,重復所述步驟(c2);當所述模具是貼靠所述保護層,停止作動所述模具,注入封膠材料形成模封結構至所述模具與所述基板間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





