[發(fā)明專利]復(fù)合鈣鈦礦靶材及其制備方法、鈣鈦礦太陽電池的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310685265.9 | 申請(qǐng)日: | 2023-06-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116497324A | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 易典;王榮福 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市漢嵙新材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;H10K71/16;H10K30/50;C04B35/495;C04B35/44;C04B35/47;C04B35/50;C04B35/622;C04B35/626 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 鈣鈦礦靶材 及其 制備 方法 鈣鈦礦 太陽電池 | ||
1.一種復(fù)合鈣鈦礦靶材,其特征在于,包括:第一子靶材和第二子靶材,所述第一子靶材和第二子靶材均含有鈣鈦礦材料,且所述第一子靶材和所述第二子靶材中的所述鈣鈦礦材料不同;
所述復(fù)合鈣鈦礦靶材呈柱狀,柱狀的所述復(fù)合鈣鈦礦靶材的側(cè)表面包括第一側(cè)表面以及位于所述第一側(cè)表面之外的第二側(cè)表面,至少部分所述第一子靶材露出于所述第一側(cè)表面,至少部分所述第二子靶材露出于所述第二側(cè)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合鈣鈦礦靶材,其特征在于,所述第一子靶材的材料包括釩酸鑭鈣鈦礦材料或鋁酸鑭鈣鈦礦材料,所述第二子靶材的材料包括鈦酸鍶鈣鈦礦材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1~2任一項(xiàng)所述的復(fù)合鈣鈦礦靶材,其特征在于,所述復(fù)合鈣鈦礦靶材由所述第一子靶材和所述第二子靶材組成;或,
所述復(fù)合鈣鈦礦靶材還包括柱狀的芯材,所述第一子靶材和所述第二子靶材均附著于所述芯材的側(cè)表面上。
4.一種制備如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的復(fù)合鈣鈦礦靶材的方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供所述第一子靶材的粉末材料,將所述第一子靶材的粉末材料制備形成第一子靶材;
提供所述第二子靶材的粉末材料,將所述第二子靶材的粉末材料制備形成第二子靶材;
將所述第一子靶材與所述第二子靶材通過壓合的方式進(jìn)行結(jié)合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,提供所述第一子靶材的粉末材料的步驟包括:
將金屬釩和金屬鋁中的一種與金屬鑭混合,得到第一混合材料;
將所述第一混合材料置于球磨腔室中進(jìn)行球磨處理;以及,
對(duì)所述第一混合材料進(jìn)行氧化處理;
提供所述第二子靶材的粉末材料的步驟包括:
將碳酸鍶和二氧化鈦混合,得到第二混合材料;
將所述第二混合材料置于球磨腔室中進(jìn)行球磨處理;以及,
對(duì)所述第二混合材料進(jìn)行煅燒處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,對(duì)所述第一混合材料進(jìn)行氧化處理的步驟包括:將所述第一混合材料在含有氧氣的氣體環(huán)境中加熱至400℃~600℃;和/或,
對(duì)所述第二混合材料進(jìn)行煅燒處理的步驟包括:將所述第二混合材料加熱至900℃~1200℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求4~6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,將所述第一子靶材的粉末材料制備形成第一子靶材的步驟包括:
將所述第一子靶材的粉末材料通過熱壓的方式形成特定形狀的所述第一子靶材;或者,將所述第一子靶材的粉末材料分散于第一分散劑中形成第一漿料,通過噴涂所述第一漿料并去除所述第一分散劑的方式,以制備所述第一子靶材;和/或,
將所述第二子靶材的粉末材料制備形成第二子靶材的步驟包括:
將所述第二子靶材的粉末材料通過熱壓的方式形成特定形狀的所述第二子靶材;或者,將所述第二子靶材的粉末材料分散于第二分散劑中形成第二漿料,通過噴涂所述第二漿料并去除所述第二分散劑的方式,以制備所述第二子靶材。
8.一種制備如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的復(fù)合鈣鈦礦靶材的方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供柱狀的芯材;
在所述芯材的部分表面上濺射沉積所述第一子靶材的材料,制備所述第一子靶材;
在所述芯材的另一部分表面上濺射沉積所述第二子靶材的材料,制備所述第二子靶材。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合鈣鈦礦靶材的方法,其特征在于,在沉積所述第一子靶材的材料以及沉積所述第二子靶材的材料之后,還包括如下步驟:對(duì)所述第一子靶材的材料和所述第二子靶材的材料進(jìn)行退火處理。
10.一種鈣鈦礦太陽電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:在第一電極上依次制備鈣鈦礦層和第二電極,其中制備所述鈣鈦礦層的步驟包括:
采用根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的復(fù)合鈣鈦礦靶材作為濺射靶材,旋轉(zhuǎn)所述復(fù)合鈣鈦礦靶材,以依次轟擊所述復(fù)合鈣鈦礦靶材中的所述第一子靶材和所述第二子靶材,并在所述第一電極上分別形成第一鈣鈦礦子層和第二鈣鈦礦子層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市漢嵙新材料技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市漢嵙新材料技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310685265.9/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





